一.內存性能的意義
常常有人會問:如此折騰內存,究竟會帶來多大提升呢?誠然,此前我也常常告訴普通用戶們“內存性能很難感知,非性能需求可不多關注”。然而,對於核顯用戶&重度網遊玩家&性能取向發燒友而言,內存性能帶來的差距是不可小視的。
測試平臺CPU:Ryzen R9-5900HX @45W
顯卡:RTX3070 @125W / Vega 8 @2.1Ghz
測試應用:極限競速:地平線5、3DMark Timespy
配備3200Mhz CL20內存條時
將內存時序降至CL17後 CPU項明顯提升
3200Mhz CL22 2BG內存的核顯得分
3200Mhz CL20 4BG內存的核顯得分
將4BG內存降至CL17時序後的核顯得分
在地平線5的測試中,僅僅降低一些內存時序,CPU項目就提升了10%—20%。而在3DMark項目上,相較普通2BG內存,高性能內存不僅提升了15%的核芯顯卡分數,更增加了超過25%的CPU項目得分!
因此,對於重度網遊玩家、核顯遊戲用戶和性能狂熱愛好者們而言,一套優秀的內存,將對整機性能的提升大有幫助。
二.市售內存實測
1.金士頓FURY駭客神條 3200Mhz 8GX2套條
KF432S201BK2/16
顆粒:鎂光D9VPP
佈局:雙面共8顆粒(4BG/1RANK)
貼紙很拉風,可惜是塑料的
上機圖
駭客神條是我在前兩篇文章中較爲推薦的內存條。歸根結底,不僅是金士頓的售後保障,更重要的是——駭客神條是市售唯一的原生CL20內存條!其原生時序爲CL20-22-22-42,當之無愧位列榜單第一。那麼其性能挖掘潛力如何呢?
核顯有了明顯提升
CPU險些破萬~
最終結果停留在CL18-22-15-39,Trfc544。略顯怪異的時序分佈是鎂光D9的顆粒特性使然,而最終成績中規中矩,並不突出。
儘管駭客神條的超頻潛力僅爲中等,然而鑑於其爲市售唯一非XMP 原生CL20顆粒內存,我建議希望提高性能,卻又無法修改內存時序的用戶們選擇它,其物有所值。對於能夠以刷寫SPD、修改BIOS等方式更改時序的性能發燒友們來說,有比駭客更好的選擇。
2.三星M471A1K43DB1-CWE
顆粒:三星新D-die
佈局:雙面共8顆粒(4BG/1RANK)
絲印上的倒數第五位字母,便爲顆粒代號。
上機圖
這是我機器的原裝內存條,原生時序爲CL22-22-22-52。
三星顆粒的型號非常容易辨認:顆粒絲印上的倒數第五位字母,便是顆粒代號。內存本體看上去平淡無奇。事實上我最初也是這麼認爲的,於是在我購買了駭客內存條後,便將它換下打入冷宮.恰逢測試便拿出來對比,測試結果令人大跌眼鏡
先說結論:核顯測試下,總分時列3DMark世界第二!
世界最佳分數時爲1701分
獨顯分數下CPU破萬
地平線5再創新高
最終成績爲CL17-17-16-36,Trfc 480。想不到三星新D-die如此強悍.可謂“小DJR”了。
三星新D-die主要以筆記本原廠配備爲主,也可在零售三星內存上見到。如果你的原廠內存與我同款,那麼恭喜榮獲一等獎~(特等獎當然是CJR/DJR啦,其後將領略它的實力)
但鑑於三星品牌內存較高的零售價格、相對較短的保修時間(三年有限質保),無論對發燒友還是普通用戶而言,在選購零售內存條時,都應該有更好的選擇。值得注意的是,一些生產日期在2019年以前的內存同樣爲“三星D-die”,但它們與三星新Ddie相去甚遠。上一代D-die的性能與下方的三號選手更接近些。
3.三星M471A1K43EB1-CWE
顆粒:三星E-die
佈局:雙面共8顆粒(4BG/1RANK)
這套內存條來自聯想拯救者~
編號是不是和二號選手很像?實際上內在大不同!這套內存來自聯想Y9000P,如果你的內存編號和它一致,那麼你可能也是同款內存!
三星E-die並沒有新D-die那樣厲害的性能。事實上,E-die很難以CL18時序過測,即便艱難通過TM5測試,其性能也是這麼多內存裏墊底的。
(過於丟人 就不上圖了)
E-die常可以在海鮮市場的拆機內存上見到。對於囊中羞澀卻希望擴展容量的用戶而言,E-die是可以考慮的選擇——它們價格低廉,在不進行時序壓制/超頻時,E-die同其它內存條沒有任何性能差距。
如果你是一位性能愛好者,而你的原裝內存爲三星E-die,那還是另請高明吧。
4.鎂光Ballistix鉑勝 3200Mhz 16GX2套條
BL16G32C16S4B.M16FE1
顆粒:鎂光C9BLD(颱風識別爲C9BJZ)
佈局:雙面共16顆粒(4BG/2RANK)
全金屬散熱片是實力的象徵
隱約可見C9BLD絲印
作爲原廠XMP 1.35V CL16的強勁選手,在鎂光C9顆粒的加持下,Ballistix的數據不可謂不強悍。同時,它也是所有參測內存中最爲昂貴的
據說在AMD平臺下,2Rank內存擁有更加優秀的性能。我花重金購入它就是爲了弄明白:鉑勝+2Rank,實力究竟如何?拭目以待。
即便容量更大,也似乎並沒有網傳的性能增益
咋一看好像成績還不錯?非也。事實上,圖示分數下的時序均無法通過TM5 Absolute測試,只能進一步放鬆時序。然而,即便處在與FURY駭客相同的主時參+Trfc560下,鉑勝依然無法通過測試,此時3DMark分數已低於駭客神條。儘管有着更大的容量,但網傳的2Rank性能優勢也沒有任何體現。(也可能是我臉黑抽到了雷?)
鉑勝表現不佳的原因是多方面的:鎂光C9較爲依賴高電壓,在普通筆記本1.2V不可調電壓下無從施展;2Rank內存過多的顆粒限制了性能潛力,並且沒有帶來網傳的性能增益。同時,更多顆粒也帶來了更大的功耗、更高的發熱。
綜上所述,鎂光鉑勝更適合支持XMP的用戶選擇,不適合不支持內存加壓的普通筆記本用戶。
5.金士頓Hyper-X駭客神條 2400Mhz 16GX2套條
HX424S14IB/16
顆粒:海力士CJR-VKC
佈局:雙面共16顆粒(4BG/2Rank)
是否2Rank內存就一定不及1Rank內存?是否2400Mhz內存就一定劣於原生3200Mhz內存?懷着這樣問題,我又入手了一對較早批次的HyperX駭客神條(因HyperX品牌出售,其後更名爲FURY)。這次,我更換了CPU爲Ryzen R7-5800H、顯卡不變的新測試平臺,一探其實力。
新平臺爲某華碩筆記本
這不測不知道,一測嚇一跳
在性能平平的新測試平臺上,HyperX竟然獲得了5800H核顯總分世界第一!如此震撼的成績顯然證明了CJR顆粒的實力,也是2Rank、原生低頻顆粒一樣具備優異性能的證明。
看到左側的Best:1638了嗎?現在它將是1643了。We are the champions~
最終時序降低到了CL17-20-20-52,Trfc480。未繼續壓制第二、第三時序的原因並非無法過測,而是性能已達臨界點,跑分已幾乎不再有提升。值得一提的是,這套2Rank內存的tWR參數不能太低。實踐證明,原生低頻顆粒、2Rank佈局一樣擁有着出色潛力。
雖然HyperX內存已經停產,但是,推薦發燒友們選擇海力士CJR/DJR顆粒,它們有着低電壓下最優秀的綜合性能表現,世界第一的成績就是證明。但對於普通消費者而言,還是原生高頻、CL20低時序的FURY駭客神條更爲適合。
三.總結時間:筆記本內存哪家強?
對普通用戶而言:
希望成對擴展32G內存:新批次(2022年4月後,截至文章發表時間)的FURY駭客 16G內存已經更換爲1Rank CJR顆粒內存,它將是絕佳選擇。駭客的套條並不連號,因此選購兩條單條即可(駭客神條必須成對使用,且部分戴爾筆記本不支持低時序內存)
希望在已有內存的基礎上再擴展一條內存:由於三星、海力士、鎂光的原廠顆粒的保修並不優秀(詳見顆粒與時序:筆記本內存誤區、選購與折騰)。我更建議選擇威剛、芝奇等價格相對低廉且終生質保的品牌內存。
對有性能要求的用戶:
如果你是一位準系統用戶,且平臺支持XMP:英睿達鉑勝是可以考慮的方案,它擁有原廠XMP且能在國內平臺買到。此外,CJR/DJR顆粒的內存也是很好的選擇。
如果你是一位筆記本性能愛好者,且擁有調節內存的條件:不要猶豫,CJR/DJR在向你招手。如果你的原裝內存爲三星新D-die,那也不錯!
如果平臺沒有調節內存的條件,但希望獲得更優性能:一對原生CL20的駭客神條將是最佳選擇。駭客的套條並不連號,因此選購兩條單條即可。(部分戴爾筆記本可能不支持)
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