美光揭祕最先進1β內存：13nm工藝、無需EUV光刻機

本文來源於：快科技

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全球DRAM內存芯片主要壟斷在三星、SK海力士及美光手裏，三家的份額高達95%，同時技術也是領先的，美光前不久更是搶先宣佈量產1β內存芯片，這是當前最先進的內存芯片。

內存工藝進入20nm節點之後，廠商的命名已經發生了變化，都被稱爲10nm級內存，但有更細節的劃分，之前是1x、1y 和 1z三代，後面是1α，1β，1γ。

在1α，1β，1γ這三代中，三星在1α上就開始用EUV光刻工藝，但是代價就是成本高，美光現在量產的1β工藝就是最先進的。

1β到底相當於多少nm？美光日前在日本舉行了一次溝通會，介紹了1β內存的一些進展，指出它的工藝水平相當於13nm，而且美光依然沒有使用EUV工藝，避免了昂貴的光刻機。

不使用EUV光刻，美光在1β內存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝，實現了35%的存儲密度提升，同時省電15%。

1β之後還有1γ工藝，估計會是12nm級別，製造難度更大，但美光依然沒有明確是否使用EUV光刻機，他們的目標很可能是繼續使用現有工藝改進，避免EUV光刻機的成本。