ASML/臺積電2nm確定用！NVIDIA帶來芯片光刻技術大飛躍：提速40倍

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今晚（3月21日），NVIDIA春季GTC技術大會召開。作爲NVIDIA炫技的主要舞臺，新東西可謂眼花繚亂。

其中值得關注的一項是，NVIDIA宣佈推出cuLitho軟件加速庫，可以將計算光刻的用時提速40倍。

所謂計算光刻就是爲芯片生產製作光掩模的技術，掩膜是一種平面透明或半透明的光學元件，上面有芯片加工所需的圖案，按照是否需要曝光將圖案轉移到光刻膠層上。光刻加工過程開始後，通過控制光刻機的曝光和開關操作，可以將光束根據掩膜上的圖案進行分割和定位，使得光束只照射到需要曝光的區域，從而將芯片上的圖案轉移到光刻膠層上，實施芯片光刻。

因爲每種芯片都要經歷多次曝光，所以光刻中使用的掩膜數量不盡相同。NVIDIA H100（臺積電4N工藝，800億晶體管）需要89張掩膜，Intel的14nm CPU需要50多張掩膜。

此前“精雕細琢”的計算光刻依賴CPU服務器集羣，現在NVIDIA表示，500套DGX H100（包含4000顆Hopper GPU）可完成與4萬顆CPU運算服務器相同的工作量，但速度快40倍，功耗低9倍。

這意味着，GPU加速後，生產光掩模的計算光刻工作用時可以從幾周減少到八小時。

黃仁勳透露，NVIDIA已經和ASML（荷蘭阿斯麥）、臺積電以及新思科技簽署技術合作，新思甚至已經將該技術集成到其EDA工具中，將服務2nm甚至更高精度的製程。

NVIDIA認爲，新技術可以實現更高的芯片密度和產量，按照更好的設計規則以及藉助人工智能驅動光刻行業前進。

按照NVIDIA預估，未來幾年高NA EUV光刻機應用後，掩膜製作的計算數據量將提升10倍以上，目前cuLitho軟件加速庫已經支持高NA EUV光刻可能用到的曲線掩膜、亞原子光致抗蝕劑掩膜等製造。