國產之光！長鑫HBM內存獲批，準備量產！

2月5日，長鑫存儲宣佈，將準備計劃製造自己的HBM高帶寬內存，技術已經趨近成熟，目前長鑫已下訂單購買美日供應商的HBM製造、組裝、測試設備，相關設計開發工作也已經完成，等設備到位即可開展進入投產階段！

近期以來，存儲芯片行業明顯復甦，相關產品價格回彈，內存價格在去年第三、四季度回升，2024年第一、二季度預計漲幅可達18%-60%，其中HBM內存尤其受歡迎，採購主力依然是全球各大科技廠商，用來研發LLM大型語言模型。

英偉達目前是HBM最主要的購買方，像市面上GPT、LLaMA、Gemini等大模型，參數級別通常在 PB 級別，需要超大型內存來支持，相比於DRAM/GDDR，HBM內存擁有更高的帶寬。

HBM內存概念前身爲3D DRAM內存，目前有三星、SK海力士等HBM主流廠商，此前國產廠商主要是佈局HBM上游原材料領域。

HBM產能短缺供不應求，鎂光首席執行官表示2024年與英偉達簽訂HBM3E大單，預計可以帶來數十億美元收入，根據調研數據統計，HBM市場將會成爲未來十年的主要方向。

本次長鑫（CXMT）已經宣佈將進入HBM內存領域，包括HBM組裝和測試的設備已經獲得審批，向美國設備企業Applied Materials、Lam Research等設備供應商購買必需設備。

目前，長鑫已經在合肥有一座DRAM內存工廠，正在籌備建設第二座，國際上目前最前沿爲HBM3E，SK海力士計劃2026年實現HBM4，長鑫生產的HBM版本可能爲HBM3，這對促進我國相關產業發展將具有重要意義！

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