近日據外媒報道稱,英偉達RTX 50系列顯卡所採用的GB200系列GPU將採用臺積電3nm工藝。
從曝光的最新細節看,代號爲GB202的旗艦產品RTX 5090的CUDA內核增加50%,總數達到24576個。這比基於圖靈的RTX 2080的內核多出8倍多。
此外,旗艦新卡的內存帶寬也將通過使用32Gbps GDDR7提升52%,高於當前RTX 4090的GDDR6X。
時鐘速度預計將提高15%,這是最大的升級之一。這將使RTX 5090的頻率提升到2.9GHz,在遊戲工作負載中輕鬆超過3GHz。現有RTX 4090的最高頻率爲2.52GHz。
爲了進一步提升性能,NVIDIA計劃將二級緩存增加兩倍,達到 128MB,遠遠超過AMD RX 7900 XTX上的 96MB。這種額外的緩存旨在最大限度地利用 GDDR7 帶來的更高內存帶寬。
如果NVIDIA能夠實現這些雄心勃勃的目標,那麼僅從規格上看,RTX 5090的性能將比RTX 4090高出70%以上。
來源:3DMGame
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