Blackwell架構的RTX 50系列顯卡預計在2025年登場,根據靠譜曝料者kopite7kimi的最新說法,其製造工藝將升級爲臺積電3nm。
目前唯一使用3nm工藝的就是蘋果A17 Pro,不過還是第一代N3。目前還不清楚NVIDIA會使用哪個版本,大概率還是定製版。
相比RTX 40系列現在使用的臺積電4N 5nm工藝相比,據說NVIDIA使用的3nm可在同等功耗下降性能提升最多15%,或者在同等性能下將功耗降低最多30%,最關鍵的是核心面積可以減少大約42%!
RTX 4090使用的AD102核心面積爲609平方毫米,相比於三星8nm工藝的RTX 3090 Ti GA102 628平方毫米幾乎不變,而換上臺積電3nm之後,即便晶體管再次大大增加,面積也能縮小很多,對於降低成本、提高良率至關重要。
另外,RTX 50系列還有望升級到DisplayPort 2.1接口規範,相比現在的1.4版本實現一次飛躍,也可以追上AMD RX 7000系列。
DP 1.4僅支持HBR 3,四通道下有效帶寬僅爲25.9Gbps。
DP 2.0則升級到了HBR 13.5,有效帶寬高達52.2Gbps,完全可以滿足16K超高分辨率輸出的需求。
雖然絕大多數普通人根本用不到如此帶寬,但對於頂級玩家、專業設計師來說將不存在任何限制。
此外,RTX 50系列有望引入PCIe 5.0,成爲摩爾線程MTT S系列之後第二款PCIe 5.0顯卡。
公版供電接口將繼續使用16針,但可能會更新爲12V-2x6版本,比現在的12VHPWR更可靠,高功率下也不容易燒燬。
當然了,RTX 50系列還會升級到GDDR7顯存。
來源:快科技
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