據外媒 Hardwaretimes 報道，下一代英偉達旗艦顯卡 RTX 5090將使用臺積電的 3nm 工藝，預計將在明年年底推出。
英偉達在去年推出的 RTX 40 系顯卡代號爲 Ada Lovelace，而外媒 Hardwaretimes 稱下一代英偉達 RTX 顯卡的代號爲 Blackwell，並表示這些 GPU 將在臺積電的 3nm（N3）節點上製造，晶體管數量將超過 150 億，密度接近 3 億 / mm²，核心時鐘將超過 3 Ghz，總線密度將達到 512 bits。
根據早前外媒 Club 386 泄露的消息，基於 GB102 的 RTX 5090 包含 144 組 SM 單元，也就是 18432 個 CUDA（假設每組 SM 還是 128 個 CUDA），比 RTX 4090 多出 12.5%，96MB 二級緩存，匹配 GDDR7 顯存（384bit 位寬），支持 PCIe 5.0 x16。
而近日在臺北 Computex 電腦展上，微星也一併展示了下一代英偉達 RTX 旗艦顯卡的散熱設計。據介紹，微星使用了動態雙金屬鰭片 (Dynamic Bimetallic Fin)，六條貫穿式純銅熱管、大面積鋁質鰭片中也嵌入了銅片，進一步增強散熱，而顯存區域也有對應的銅片。
本文來源於：IT之家
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