Intel 20A工藝殺手鐧之一驚豔首秀！反超臺積電就靠它

本文來源於：快科技

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Intel一直在積極推進四年五代工藝節點的戰略，2021-2024年間將陸續投產7、4、3、20A、18A。

其中，20A、18A將邁入埃米時代，大致可以立即爲2nm、1.8nm，前者將追平臺積電，後者則最終實現反超。

Intel 20A工藝將引入兩種全新的工藝，PowerVia背部供電、RibbonFET全環繞柵極晶體管。

PwoerVia技術將傳統位於芯片正面的供電層改到背面，與信號傳輸層分離，通過一系列TSV硅穿孔爲芯片供電，可以大大降低供電噪聲、電阻損耗，優化供電分佈，提高整體能效。

計劃6月11-16日舉辦的VLSI Symposium 2023研討會上，Intel將首次展示PowerVia技術，不過用的不是20A工藝，而是基於Intel 4工藝的一顆測試芯片，架構則是E核。

這顆核心的面積僅爲2.9平方毫米，得益於PowerVia技術，大部分區域的標準單元利用率都超過了90％(圖中橙色區域)，其餘的也基本都在80％之上(圖中綠色區域)。

同時，PowerVia技術還帶來了超過5％的頻率提升，吞吐時間略高但可以接受，功耗發熱情況符合預期。

除了用於自家產品，Intel也將使用PowerVia技術爲客戶代工，這也是提前展示其能力的一個原因。