開學季固態硬盤怎麼選？實測對比+選購思路一文搞定

大家好，我是愛玩固態硬盤的飄雷。

眼看着開學季就來臨了，根據往年慣例，各大電商平臺蓄勢待發，又要迎來一波大促，而這也是618之前入手固態硬盤的最佳時間點之一。

那麼面對琳琅滿目的產品，咱們要如何避坑，如何選擇“夢中情盤”？

今天咱們就來詳細討論一下，選購固態硬盤時到底要注意哪些要點，並且用實際的測試結果來爲大家舉例說明，希望能幫助到有購買需求的兄弟們。

一、固態硬盤選購要點有哪些

1.瞭解品牌很重要

就跟咱們買家電喜歡買大廠產品似的，固態硬盤領域也有大廠與小廠之分。

衆所周知，對於閃存固態硬盤來說，最核心的元器件就是用於存儲數據的NAND芯片。目前全球具備NAND芯片生產能力的廠商只有三星、西數、SK海力士（Solidigm）、東芝（鎧俠）、美光（英睿達）、長江存儲（致態）這6家，而除此以外的其他固態硬盤品牌，都要從這6家廠商手裏採購NAND芯片後，才能生產製造。

而一般業內也把這6家稱爲原廠固態，堪稱大廠中最爲根正苗紅的TOP頂流，無論是質量、性能和穩定性，都站在T0梯隊的最高位置。

所以說，如果不是預算特別緊張的話，推薦大家還是優先入手原廠固態硬盤更加合適。

而在原廠固態硬盤中，個人最喜歡、也是最常推薦的品牌，就是致態了。

作爲國內唯一的NAND顆粒生產商——長江存儲旗下的零售存儲品牌，致態不僅是國產純血固態硬盤的代表，而且在技術層面也處於全球領先地位，可以說是妥妥的國貨之光。

2.SATA還是NVMe？

對於大部分兄弟來說，我們最常接觸到的還是消費級固態硬盤，主要分爲2.5寸SATA和M.2兩種接口。

其中M.2接口的固態硬盤也分爲SATA和NVMe兩種協議，目前還在產的固態硬盤，大多都是M.2 NVMe規格的了，大家根據自己現有的電腦接口來購買，不要買錯。

NVMe是運行在PCIe接口上的協議，根據支持的PCIe通道不同，NVMe固態硬盤的讀寫性能也有所不同。

滿血PCIe 3.0 x4的固態硬盤，順序讀寫速度在3500MB/s左右，PCIe4.0 x4的固態硬盤能有7000MB/s左右，而最新的PCIe 5.0 x4產品，更是飆升到14000MB/s以上！

而消費級2.5寸SATA固態硬盤走的是主板上的SATA接口，最高讀寫速度一般被限制在600MB/s左右，和NVMe固態有着幾十倍的差距，更別說在體積上也要更浪費空間。

而且由於近年來SATA固態硬盤的銷量減少，目前的售價甚至要比性能更強的NVMe固態硬盤更貴，所以一般不太建議大家選擇此類產品了。

3.TLC & QLC，傻傻分不清楚？

目前消費級固態硬盤市場中，我們能買到的閃存顆粒主要分爲TLC（Triple-Level Cell）和QLC（Quad-Level Cell）兩種。

簡單來講，在NAND芯片的每個最小存儲單元中，都禁錮着一定數量的電子，可以將其看作一個個微小的電容，或者一個個關着電子的小籠子。

在使用時，主控芯片通過控制這些存儲單元中電子的數量，可以實現檢測和調整閃存中存儲單元的電壓，來標識0和1的狀態，從而讀取和寫入我們需要的數據。

形象點兒來說，實際上的存儲單元可以理解爲一個電容+一個電壓計的組合，就像這樣：

存儲單元在寫入時按電位表施壓充電：

讀取時按電位表反查數據:

TLC與QLC的區別在於，TLC在1個儲存單位中存放3位數據，有“000”、“001”、“010”、“011”、“100”、“101”、“110”、“111”八種電壓狀態；而QLC顆粒每個單元可以存儲4個比特，需要2的4次方，也即16種電壓信號來表示16種狀態。

這麼一分析咱們就能看得出來，QLC顆粒中每個單元存儲的數據位數更多，也意味着能有更大的存儲密度，同體積下可實現更大容量，單位容量的成本更低。

而TLC單元由於擁有更低的電平精度，在長時間寫入時反覆充放電的過程中，電子遷移更少，對存儲介質（浮柵極晶體管/電荷阱）造成磨損的更小，能承受的寫入壽命更長。

同時，由於TLC的存儲單元電壓狀態更簡單，在讀寫時錯誤率也更低，使得其延遲更低、讀寫速度更快。

所以說，對於大部分普通用戶，TLC產品更加合適遊戲、生產力或者高頻讀寫場景，而QLC固態硬盤更適合有大容量存儲或者極限壓榨成本的需求。

4.固態硬盤的緩存是什麼？要選有緩還是無緩？

熟悉固態硬盤的同學大多聽說過，固態硬盤會分爲有緩盤和無緩盤，這二者有啥區別呢？

實際上，固態硬盤的緩存，一般有SLC Cache（SLC緩存）和DRAM緩存之分。

SLC Cache更多的是消費級固態硬盤採用的一種算法上的概念，並非獨立硬件，指的是將TLC/QLC顆粒的部分空間模擬成SLC模式運行（僅需2種電壓狀態），以利用SLC模式的高速特性臨時緩存寫入數據。

而DRAM緩存則是物理上的獨立DRAM芯片，其實可以理解爲我們在內存條上見到的內存顆粒。

這倆概念咱們不要混淆，一般業內把擁有獨立DRAM顆粒的固態硬盤稱爲有緩盤，反之則爲無緩盤。

有緩盤上的DRAM芯片可以用來存儲固態硬盤的FTL映射表，記錄NAND閃存物理地址與邏輯地址的映射關係，加快隨機讀寫速度，也可以臨時存儲待寫入數據，緩解NAND寫入延遲，典型代表如致態的TiPro9000。

不過需要注意，有緩盤的高性能也是有成本、功耗以及發熱的代價，這裏要根據自己的實際需求選擇。

而無緩盤沒有DRAM芯片，典型代表是致態TiPlus7100，會採用HMB技術，利用一小部分電腦內存（64MB以內）來替代外置DRAM緩存的作用，部分展開FTL映射表，對於普通家用用戶輕度使用的場景，和有緩盤並沒有什麼兩樣。

實際上有着SLC Cache技術的加持，TiPlus7100這類無緩盤在例如電腦開機、應用程序與遊戲加載、文件保存與傳輸等中輕度負載場景中，用戶很難察覺出和有緩盤的區別，同樣能有7000MB/s以上的高速讀寫，也不會出現卡頓的情況。

所以說個人建議，家用電腦或者遊戲黨選購固態硬盤時，買個無緩盤就夠了——既便宜，又涼快，省下的錢去STEAM買個遊戲它不香麼。

5.簡單歸納結論

通過以上環節的討論，我們可以簡單歸納出2個結論：

1.對於性能要求較高、對售價不敏感的生產力用戶，以及發燒友，可以優先選擇原廠的PCIe 4.0或者PCIe 5.0有緩盤，但是使用時請一定注意溫度，可以考慮通過加裝散熱片等方式來改善散熱環境。
2.學生朋友和遊戲用戶而言，由於日常使用負載並不高，所以其實比較好的選擇是選擇原廠的PCIe 4.0 無緩固態硬盤，比如我自己的主力遊戲盤就是一塊致態TiPlus7100 4TB：

其實無緩盤對大多數人來說是真的夠用了，正好近期我給這塊固態硬盤做了個詳細的“體檢”測試，下面就來分享一下詳細的測試結果，供大家參考。

二、無緩固態硬盤表現如何？以致態TiPlus7100 4TB爲例

這次測試使用的硬件平臺配置如下：

CPU：intel i9 14900K
主板：AORUS Z790 XTREME X
內存：阿斯加特女武神II DDR5-8000 16GB x2
固態硬盤：Intel Optane 900P 280G（系統盤）
顯卡：華碩 TUF RTX3090
系統：Windows11專業版 23H2、Ubuntu 24.04 LTS

1.概況簡介

自致態TiPlus7100問世之後，我已經給自己和朋友買過好幾個了，4TB容量版本依然是熟悉的小白盒包裝，右上角標明瞭這塊盤的順序讀取速度能夠達到7000MB/s。

更詳細的性能參數可以參照官方給出的表格（這裏多說一句，其實官宣參數是有點保守的，我自己實際測試出來的結果要比官宣參數更強）：

在質保方面，致態TiPlus7100 4TB提供了5年2400TBW的標準，支持個人送保，完全足夠我們放心使用，畢竟大部分普通用戶一年也難得寫滿100TB數據。

而且TBW只是保修標準而已，超過TBW後也並不代表固態硬盤的寫入壽命真的就耗盡了，對以耐寫著稱的長江存儲NAND顆粒來說，實際寫入壽命要遠比TBW更長。

有賴於YMTC NAND顆粒更高的存儲密度，致態TiPlus7100只用單面就實現了4TB的超大容量。

而單面佈局的優勢之前也介紹過多次了，可以將發熱元器件集中在一側，方便我們安裝散熱器降低溫度，同時也減少了整個固態硬盤的厚度，可以更好地兼容筆記本電腦、一體機、迷你主機、遊戲主機等內部空間狹小的設備。

這裏順帶提醒一下大家，致態還爲自家的固態硬盤提供了「致態天樞大師固態硬盤管理軟件」，建議大家入手後都去官網下載一個，可以實現安全擦除、固件升級等功能，還是挺方便的。

通電上機之後，可以看到致態TiPlus7100 4TB支持最新的NVMe 2.0協議標準，新增了分區命名空間（ZNS）以及鍵值（KV）等新功能，可以根據數據使用頻率進行分區，並按順序存儲在固態硬盤內的獨立區域，從而減少對存儲數據的重寫和重新排列，降低硬盤的寫入放大係數，減少CPU計算負荷，提高固態硬盤性能和壽命。

再用工具進一步查看S.M.A.R.T信息，可以看到這塊大容量固態硬盤的標稱功耗並不高，最多隻有6.5W而已，無緩盤的低功耗優勢一覽無餘。而且盤體上還有兩枚溫度傳感器，配合溫度牆，能很好地控制整體發熱。

在Windows中，由於二進制與十進制的轉換關係，這塊盤的實際可用容量爲實際可用容量爲3815.43GiB，幾乎所有的消費級固態硬盤都會經過這樣的容量換算，並非是廠家虛標。

2.消費級基礎負載測試

接着來看CrystalDiskMark的測試結果，最高順序讀取7100MB/s、順序寫入6400MB/s，完全超過官宣標稱的性能。尤其SLC Cache內的QD1 4K隨機讀取性能達到了95.39MB/s，對於無緩盤來說也很強了。甚至我感覺，要不是因爲被Intel平臺的256 MPS限制住，這塊盤的順序讀取速度應該還能再往上衝一衝。

而在隨機性能方面，致態TiPlus7100 4TB的隨機讀取性能爲933 KIOPS，隨機寫入速度爲1035 KIOPS，也是遠遠超過了標稱參數：

PCMark10的完整系統盤基準測試功能，測試包含Windows 10啓動、應用程序/遊戲啓動、複製多個大文件和許多小文件、Office和Adobe應用程序運作時的硬盤軌跡等23項測試場景，可以對固態硬盤在複雜場景中的表現進行量化評估。

在這項測試中，致態TiPlus7100 4TB得分爲4143分，是PCIe 4.0 固態硬盤的一線水準：

而3DMark的存儲基準測試則是更多地考量固態硬盤的讀取性能，對於遊戲黨的參考價值比較大，這塊盤測試成績爲4042分，表現也挺不錯：

3.專業向深入測試

（1）全盤寫入曲線

使用Q32T1 128K的參數，在RAW格式下看一眼全盤讀寫曲線，如下圖所示：

從上圖中我們可以看到：

1.致態TiPlus7100 4TB在空盤狀態下的SLC Cache容量接近400GB，緩內寫入速度在6000MB/s左右，可以輕鬆應對諸如STEAM遊戲拷貝、大容量視頻剪輯等爆發式寫入場景，再說正常情況下也沒多少老哥會天天有這麼高的寫入量。
2.在SLC Cache耗盡後，這塊盤立刻進入TLC直寫階段，直寫速度爲2400MB/s左右，高出其他PCIe 4.0固態硬盤一大截，長江存儲的NAND顆粒功不可沒。
3.當TLC區域用光後，進入了第三段WriteBack懲罰階段，此時固態硬盤要一邊將SLC緩存中的數據重新釋放爲TLC區域，一邊還要兼顧新數據的寫入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能達到1000MB/s左右，性能非常強勁。

（2）SLC Cache緩外隨機讀取曲線

固態硬盤的小粒度隨機存取性能是影響我們日常使用流暢性的關鍵。雖然固態硬盤的真實運行過程是各種粒度、各種讀寫比例混雜的複雜流程，但是從4K小粒度隨機讀寫的性能中，我們可以管中窺豹。

我們日常使用電腦時，打開軟件或者加載遊戲等操作，所訪問的基本都是已經被挪出SLC Cache外的、在TLC區域內的數據。

在這種情況下，測試TLC區域內真實狀態下的4K隨機讀取性能就是一件很有意義的事情。

這裏爲了保證測試前固態硬盤能夠進入髒盤穩態，先以128KB Q32T1順序寫入兩倍於全盤容量的數據後，再對致態TiPlus7100 4TB進行時長爲900s的Q1T1 4K隨機讀取測試，最終得到了如下所示的SLC Cache緩外4K隨機讀取速度曲線圖。