首款中國製造DDR5芯片，來自長鑫存儲！

新年來臨之際，聚焦於半導體行業的知名觀察公司TechInsights注意到中國存儲的突破——在一套DDR5 6000Mhz內存中，TechInsights發現了首款中國製造的DDR5芯片！

毫無疑問，這是一個令人激動的消息。TechInsights很快以“First China-made DDR5 Memory Released from CXMT China（首款“中國製造”DDR5內存，由長鑫存儲發佈）”爲題，發佈了專題內容。

目前，這篇報道正位於TechInsights首頁的醒目位置，並被彭博社等多家知名媒體引用。以下是我們的譯文！

在DDR5成爲當下主流技術之際，中國領先的DRAM製造商——長鑫存儲技術有限公司（CXMT），終於向市場展示了16Gbit DDR5芯片。

就在本週，TechInsights拆解並分析了一款能夠證實該結論的商用產品：光威16GBx2 DDR5-6000Mhz臺式機UDIMM內存(VGM5UC60C36AG-DVDYBN)，由16顆長鑫存儲製造的16Gbit DDR5芯片組成。

譯者注：根據TechInsights所提及的標號，我們基本能夠確定其爲圖中的“弈”系列內存。

這顆16Gbit DDR5芯片的尺寸爲66.99mm^2（長8.19mm，寬8.18mm，芯片密封），位密度達到了0.234Gbit/mm^2。這顆芯片採用了長鑫存儲新一代先進的G4 DRAM工藝，存儲單元面積爲0.0020 µm^2，特徵尺寸16.0nm。相較於上一代G3 DRAM工藝節點（特徵尺寸18nm），長鑫存儲將DRAM單元面積減少了20%。

在光威DDR5-6000內存中發現的長鑫存儲16Gb DDR5芯片

存儲單元的間距分別爲源極29.8nm、字線41.7nm、位線47.9nm，這與三星、海力士和美光的D1z工藝節點（特徵尺寸15.8~16.2nm）水平相當。

長鑫存儲此前已量產DDR3L(2Gbit/4Gbit)，DDR4(4Gbit/8Gbit)，LPDDR4X(6Gbit/8Gbit)和LPDDR5（12Gbit）產品，如今新增了DDR5 DRAM芯片。這家存儲廠商最初使用23.8nm（D2y工藝節點）製造G1代DRAM，隨後升級至18.0nm（D1x工藝節點）製造G2代產品。

長鑫存儲DRAM工藝間的比較，從G1至G4

將目光投向DRAM市場，DDR5的出貨量已在2024年第二季度超越了DDR4。根據TechInsights的2024年四季度DRAM市場報告，在2024年，DDR5出貨量達到了87Ebit（DDR4爲62Ebit），並且有望在2025年突破150Ebit（增長57%）。

（譯者注：1Eb=1024Pb= 2^60 bit）

長鑫存儲、三星、SK海力士、美光的16Gbit DDR5產品對比

三大頂尖DRAM廠商（三星，SK海力士和美光）現使用更先進的工藝節點製造DDR5芯片——如D1a/D1α和D1b/D1β——特徵尺寸爲12至14nm。如今，16Gbit芯片是出貨規模最大的部件。這三大DRAM製造商從2021年起開始大規模量產16Gbit DDR5，意味着長鑫存儲仍與這些廠商有着三年的技術差距。