首款中国制造DDR5芯片，来自长鑫存储！

新年来临之际，聚焦于半导体行业的知名观察公司TechInsights注意到中国存储的突破——在一套DDR5 6000Mhz内存中，TechInsights发现了首款中国制造的DDR5芯片！

毫无疑问，这是一个令人激动的消息。TechInsights很快以“First China-made DDR5 Memory Released from CXMT China（首款“中国制造”DDR5内存，由长鑫存储发布）”为题，发布了专题内容。

目前，这篇报道正位于TechInsights首页的醒目位置，并被彭博社等多家知名媒体引用。以下是我们的译文！

在DDR5成为当下主流技术之际，中国领先的DRAM制造商——长鑫存储技术有限公司（CXMT），终于向市场展示了16Gbit DDR5芯片。

就在本周，TechInsights拆解并分析了一款能够证实该结论的商用产品：光威16GBx2 DDR5-6000Mhz台式机UDIMM内存(VGM5UC60C36AG-DVDYBN)，由16颗长鑫存储制造的16Gbit DDR5芯片组成。

译者注：根据TechInsights所提及的标号，我们基本能够确定其为图中的“弈”系列内存。

这颗16Gbit DDR5芯片的尺寸为66.99mm^2（长8.19mm，宽8.18mm，芯片密封），位密度达到了0.234Gbit/mm^2。这颗芯片采用了长鑫存储新一代先进的G4 DRAM工艺，存储单元面积为0.0020 µm^2，特征尺寸16.0nm。相较于上一代G3 DRAM工艺节点（特征尺寸18nm），长鑫存储将DRAM单元面积减少了20%。

在光威DDR5-6000内存中发现的长鑫存储16Gb DDR5芯片

存储单元的间距分别为源极29.8nm、字线41.7nm、位线47.9nm，这与三星、海力士和美光的D1z工艺节点（特征尺寸15.8~16.2nm）水平相当。

长鑫存储此前已量产DDR3L(2Gbit/4Gbit)，DDR4(4Gbit/8Gbit)，LPDDR4X(6Gbit/8Gbit)和LPDDR5（12Gbit）产品，如今新增了DDR5 DRAM芯片。这家存储厂商最初使用23.8nm（D2y工艺节点）制造G1代DRAM，随后升级至18.0nm（D1x工艺节点）制造G2代产品。

长鑫存储DRAM工艺间的比较，从G1至G4

将目光投向DRAM市场，DDR5的出货量已在2024年第二季度超越了DDR4。根据TechInsights的2024年四季度DRAM市场报告，在2024年，DDR5出货量达到了87Ebit（DDR4为62Ebit），并且有望在2025年突破150Ebit（增长57%）。

（译者注：1Eb=1024Pb= 2^60 bit）

长鑫存储、三星、SK海力士、美光的16Gbit DDR5产品对比

三大顶尖DRAM厂商（三星，SK海力士和美光）现使用更先进的工艺节点制造DDR5芯片——如D1a/D1α和D1b/D1β——特征尺寸为12至14nm。如今，16Gbit芯片是出货规模最大的部件。这三大DRAM制造商从2021年起开始大规模量产16Gbit DDR5，意味着长鑫存储仍与这些厂商有着三年的技术差距。