臺積電遭冷，下一代AMDZen6擁抱三星4nm工藝

AMD目前正積極推進下一代Zen6架構的研發，涵蓋消費級和數據中心市場。關於Zen6架構中CCD部分的工藝選擇，目前業界有兩種說法，一是採用臺積電N3 3nm工藝，另一種則可能選擇臺積電N2 2nm工藝。無論哪種選擇，Zen6架構都將是AMD在製程技術上的一次重要升級。

在Zen5架構中，銳龍9000系列的IOD部分採用了臺積電4nm工藝，而CCD部分則使用了6nm工藝，延續了銳龍7000系列的設計。EPYC 9005系列則在IOD部分採用了臺積電4nm（Zen5）和3nm（Zen5c）工藝，CCD部分依舊是6nm。這表明，Zen5架構的IOD和CCD部分雖然存在不同的工藝選擇，但它們在很多方面是相似的，尤其是在數據中心和消費級產品的應用場景上。

那麼，下一代Zen6架構的IOD部分將如何選擇呢？此前的分析認爲，Zen6的IOD部分可能會繼續採用臺積電的4nm工藝，具體來說是N4P。臺積電N4P工藝相比N5工藝具備更高的能效和更低的功耗，適合在IOD這類對功耗要求較高的組件上使用。然而，最近的消息則表明，Zen6架構的IOD部分可能會切換到三星的4LPP工藝，而不是繼續使用臺積電的製程。儘管三星的4LPP工藝在性能和能效上略遜一籌，但它的低功耗特性仍使其成爲一個不錯的選擇，尤其是在對性能要求不那麼苛刻的IOD領域。

三星的4LPP工藝自2022年量產以來已經相當成熟。該工藝的晶體管密度爲每平方毫米1.37億個，與臺積電N5工藝相當，僅比N4P低了約5%。更重要的是，三星4LPP工藝的成本相對較低，這爲生產高性價比的IOD提供了理想的解決方案。因此，儘管三星工藝在某些方面不及臺積電，但它的優勢在於更成熟的生產技術和低成本。