海力士新M-Die超頻如喝水|光威神策D5-6800 24GBx2內存上手體驗

內存進入DDR5時代後，SK海力士憑藉A-Die顆粒的超強超頻能力，牢牢佔據了DDR5內存的頭把交椅，相較而言更早推出的老版M-Die在超頻上限方面要略遜一籌。

不過這個局面在SK海力士新版M-Die顆粒推出後得到了改善，不僅單顆粒容量提升到了3GB，使得DDR5內存可以在單條內存上實現24GB（單面）或48GB（雙面）的超大容量，而且由於採用了最新制程，新M-Die顆粒在超頻潛力方面也有趕超A-Die顆粒的趨勢，同時超頻難度相較於A-Die顆粒大幅度下降。

簡單點兒來說，目前對於頻率上限而言，經過特挑SK海力士A-Die顆粒的上限要比新版M-Die稍強；但是在超頻難度方面，新版M-Die顆粒遠遠要比A-Die顆粒友好得多。

即使是普通玩家也可以利用主板的預設，一鍵達成8000MHz甚至8200MHz以上的頻率，體驗高頻內存的樂趣。

今天同大家分享的就是我在雙11期間入手的國產大廠光威出品的DDR5神策內存24GBx2套條，默認的XMP頻率就高達6800MHz，搭載SK海力士全新M-Die顆粒後，配合技嘉主板的D5內存超頻黑科技堪稱超頻如喝水，性價比相當高。

開箱&外觀

神策屬於光威內存超頻線中的高端系列，一向以更好的做工和強悍的超頻能力作爲主打。本次的新M-Die天策和A-Die版本一樣，採用了雙層精緻包裝，且在封皮處醒目地標識出了產品的概念圖和基本參數。

內包裝也同樣有高端系列應有的逼格，不僅有爲了保護漆面而附贈的安裝手套，同時還有金色的產品設計草稿，呼應着“開啓榮耀之路”的SLOGAN。

顏值方面，使用了烤漆工藝的陶瓷白塗裝相當精緻，搭配橙色的裝飾條非常醒目，比較適合白色主題的裝機方案。

頂部的導光條採用了比較少見的高透明度的亞克力材質，與普通RGB內存的磨砂燈條不同，透明燈條對RGB燈珠的亮度和發光區域要求更爲嚴苛，只有燈珠質量足夠好，才能獲得過渡均勻的色彩表現。

實際上機後的效果也沒有讓人失望，確實是更加柔和通透，的確如宣傳一樣有“果凍般的質感”。

作爲高端產品線，這套光威神策內存不只是在顏值上下了功夫，實際硬件方案也稱得上一句秀外慧中。在DDR5內存高頻高性能的背後，帶來的是更多的熱量，同時對電氣性能有更高的要求。光威神策採用了2mm厚的加厚鋁製裝甲，更關鍵的是在散熱裝甲和顆粒之間還有一層銅片輔助均熱，這個設計目前應該是獨家結構。

同時光威神策使用了加厚的10層PCB板，堆料方面做得很猛，更厚的PCB板層可以減少內部走線帶來的干擾，提高電氣性能，增強高頻率使用時的穩定性。

測試平臺

這裏搭配的主板是我在雙11活動期間入手的技嘉Z790 AORUS ELITE X，選中這塊主板，主要還是因爲技嘉在DDR5時代的內存超頻優化做得着實給力，基本算是御三家中最重視內存超頻廠家了，另外在硬件堆料方面也做得十分厚道。

剛看了看年貨節期間的價格比我雙11入手還降了300元。。。有需求的朋友可以趁這機會入手了。

像技嘉Z790 AORUS ELITE X這塊主板不僅有高帶寬、低延遲模式這種免費提升內存性能的黑科技，而且在硬件堆料方面也全方位爲內存超頻做了優化，使用了 8 層 2 盎司銅服務器級PCB板，搭配“背鑽孔技術”新工藝後，減少了高頻信號傳輸下的干擾，對內存超頻非常利好。

技嘉Z790 AORUS ELITE X採用了16+1+2的供電設計，並且供電處有龐大的散熱片，使用了複合式剖溝設計+一體式成型工藝，還有8mm熱管加持，即使用來配合i9 14900K使用都不在話下。

其中核心供電16相，MOS型號爲ISL9930（90A）；核顯供電1相，MOS型號爲ISL9960（60A）；輔助供電2相，MOS型號爲NCP303160 (60A）。

同時我們可以看到CPU供電接口和主板供電接口處均採用了實心針腳供電插座，提供了更加穩定的導電性能，同時還能減少重複插拔時造成的磨損，更適合目前整機功耗越來越高的裝機趨勢。

技嘉Z790 AORUS ELITE X爲標準的4槽位主板，內存單槽最高支持48GB容量，全部插滿可以實現192GB超大內存。

爲了進一步鞏固自身在內存超頻方面的技術優勢，技嘉對於內存佈線方面非常重視，採用了內存抗干擾遮罩和隔離內存佈線設計，內存佈線被屏蔽在PCB板的專用內層來防止干擾，並且採用了菊鏈式佈線方案，優化內存線路寬度、長度和樣式，從而實現了8266MT/s的內存頻率。

在BIOS方面，技嘉給Z790 AORUS ELITE X的BIOS界面做了全新的UI設計，即使是新手小白也能輕鬆查看到自己需要的信息，這要比之前的迷宮菜單好得太多了。

同時與華碩的SP分類似，目前技嘉的新Z790平臺主板也能對CPU進行體質評分了，例如下圖中紅框中的CP就是。

技嘉在新BIOS中提供了和微星Memory Try It一樣的自動超頻選項，工程師們提前已經做好了不同頻率下的預設，對於新手玩家想要試試內存超頻的話，直接根據自己內存的顆粒和容量就可以一鍵套用預設嘗試內存超頻了。

此外技嘉大名鼎鼎的D5內存超頻黑科技就是下圖中的Hige Bandwidth（高帶寬模式）和Low Latency（低延遲模式），啓用這兩項功能後，能讓我們在內存頻率不變的情況下提升內存吞吐性能、降低讀寫延遲，相當於直接白嫖性能了。

在主板最下方設有Q-FLASH Plus按鈕，在沒有安裝CPU、內存和顯卡的情況下，只需要給主板通電就能直接更新BIOS，對DIY折騰黨來說很是方便。

在SATA接口上方是技嘉Z790 AORUS ELITE X清除BIOS按鈕，在需要時將CMOS數據重置爲出廠默認設置。經常折騰內存超頻的小夥伴想必對此不會陌生，有了這個按鈕我們在超頻調試時可以不用老是去摳BIOS電池了。

CPU方面，原本電腦上在用的i7-13700K的IMC體質有點弱，所以這裏我從小黃魚淘了一塊體質還不錯的i5-14600KF，勉強算個小雕吧。沒選i7-14700K主要是聽說目前體質普遍略低，不太好找小雕。

性能測試

首先看一下CPU-Z讀取出的信息，這套光威神策 D5 6800內存使用了SK海力士顆粒，原生JEDEC頻率爲4800MHz，支持XMP自動超頻至6800MHz，且XMP後時序爲CL34-46-46-108。

考慮到咱們既然多花錢買來6800MHz的高頻內存條，肯定也不會就運行在5600MHz默頻使用，所以這裏咱們就先直接從XMP頻率開始，使用AIDA64分別在6800MHz頻率下測試打開和關閉“高帶寬低延遲”模式的不同性能表現。

在直接XMP至6800MHz的情況下，此時內存的讀取速度爲98292MB/s，寫入速度 91818MB/s，複製速度 90216MB/s，延遲 68.3ns。
啓用主板的”高帶寬低延遲“模式後，內存的讀取速度爲101.25GB/s，寫入速度 100.64GB/s，複製速度 98345MB/s，延遲 62.7ns。

綜合來看，啓用技嘉的D5內存超頻黑科技後，內存的吞吐性能提升了9%左右，延遲下降了9%左右，性能漲幅還是非常明顯的。

由於24GB的光威神策使用了新版的特挑SK海力士M-Die顆粒，加之散熱堆料十分厚道，所以即便是超頻至8000MHz也輕鬆地跟喝水似的，比A-Die顆粒輕鬆多了。

像之前想要用SK海力士A-Die顆粒超到8000MHz的話，還需要手動調整下內存電壓什麼的慢慢調試，而這套內存只需要直接用技嘉主板中內置的超頻模板就可以一步到位直接上到8000MHz，對於新手朋友來說特別輕鬆。

此時內存的時序爲40-48-48-128，讀取速度暴增至107GB/s，寫入速度96969MB/s，複製速度99241MB/s，延遲爲67.2ns。

不過在這種情況下，除了讀取性能要比XMP6800MHz+啓用技嘉超頻黑科技時更強以外，其餘參數還稍有不如。

而考慮到內存在如此高頻的情況下發熱更大，已經需要主動氣流散熱才能確保穩定，所以個人建議對於普通用戶來說其實就開個XMP，再開個超頻黑科技功能是更好的選擇，又省事兒，性能又好。

不過我對自動超頻8000MHz下的性能表現有點不滿足，於是再次嘗試直接用主板把光威神策這套內存自動拉到8200MHz試一下：

此時時序爲40-48-48-128，讀取速度繼續增加至108.92GB/s，寫入速度99016MB/s，複製速度101.2GB/s，延遲爲69.6ns。

此時內存的性能有了進一步提升，充分說明了新版M-Die顆粒的超頻真的是要簡單多了，超頻潛力巨大。

爲了進一步拉高性能上限，再次進入BIOS中手動調整電壓和內存時序。這裏我將SA電壓設置爲

1.25V，VDDQ 1.4V，VDD2 1.45V；內存VDD 1.55V，VDDQ 1.55V，VPP1.9V：

再將內存時序設置爲38-54-54-76：

接下來再用AIDA64進行測試，讀取速度爲17.78GB/s，寫入速度爲121.14GB/s，複製速度爲113.75MB/s，延遲降低至55.5ns。可以說在性能方面有了全方位的提升。

經過以上測試管中窺豹，可以得出兩個結論：

這套光威神策DDR5 6800的SK海力士新M-Die着實暴力，超頻潛力巨大，操作難度反而更低，在XMP6800MHz的基礎上可以輕鬆超頻至8200MHz，
2.技嘉主板的高帶寬低延遲模式無愧D5超頻黑科技之名，對於新手來說十分友好，只需在XMP的基礎上啓用這項技術，即可獲得比內存自動超頻至8000MHz更強的性能，屬實是白嫖利器了。