英特爾直面會：X3D技術將至，18A-PT工藝官宣，14A工藝晶圓展示

來源——AMP實驗室

你一定要活下去

英特爾新任 CEO 陳立武今日在美國加州聖何塞舉行的 Intel Foundry Direct Connect 2025 活動中亮相，概述了公司在晶圓廠代工項目上的進展。

陳立武宣佈，公司現在正在與即將推出的 14A 工藝節點（1.4nm 等效）的主要客戶進行接觸，這是 18A 工藝節點的後續一代。

英特爾已有幾個客戶計劃流片 14A 測試芯片，這些芯片現在配備了公司增強版的背面電源傳輸技術，稱爲 PowerDirect。

如果一切按計劃進行，14A 將成爲行業首個採用 High-NA EUV 光刻技術的節點。臺積電的 A14 競爭對手節點預計將在 2028 年到來，但預計不會在生產中使用 High-NA 技術。

陳立武還透露，公司的關鍵 18A 節點現在處於風險生產階段，預計今年晚些時候將開始量產。

英特爾還透露其新的 18A-P（18A 節點的性能加強版本）現在正在晶圓廠中運行，早期晶圓也已投產。

此外，英特爾官宣正在開發新的 18A-PT 版本，該版本支持 Foveros Direct 3D，採用混合鍵合互連，使英特爾能夠在其最先進的領先節點上垂直堆疊晶圓。

Foveros Direct 3D 技術是一個關鍵的發展，因爲它提供了一種競爭對手臺積電已在生產中使用的功能，最著名的是 AMD 的 3D V-Cache 產品。事實上，英特爾在關鍵互連密度測量方面的實現與臺積電的產品相匹配。

根據英特爾的官方路線圖，18A-P 將在 2026 年推出，18A-PT 要等到 2028 年。此外，14A 將在 2027 年到來，還會有 14A-E 工藝。

針對先進封裝需求，英特爾代工提供系統級集成服務，使用 Intel 14A 和 Intel 18A-P 製程節點，通過 Foveros Direct（3D 堆疊）和 EMIB（2.5D 橋接）技術實現連接。

英特爾還將向客戶提供新的先進封裝技術，包括面向未來高帶寬內存需求的 EMIB-T；在 Foveros 3D 先進封裝技術方面，Foveros-R 和 Foveros-B 也將爲客戶提供更多高效靈活的選擇。

製造方面，英特爾亞利桑那州的 Fab 52 晶圓廠成功“全流程運行”，標誌着通過該設施加工了第一塊晶圓。英特爾 18A 的大規模生產將在俄勒岡州的英特爾工廠開始，而亞利桑那州的製造將在今年晚些時候擴大。

無論如何，我真誠的希望英特爾能夠再次崛起，無論是其處理器產品，還是其代工業務，現在市場已經羣魔亂舞，臺積電一家獨大而三星一蹶不振，AMD也覺醒骨子裏的惡龍血脈。只有各家都有相匹配的對手，這個市場才能再度健康