RX 9070GRE规格透出，大残Navi48核心配12G显存

来源——AMP实验室

有谁在等它？

RDNA4的RX 9070/XT发布已有一段时间，相当多的玩家抢购到了原价4399和4999的新A卡，但是大部分打算购买A卡的玩家还是在等不需要抢购的这些A卡。这两款只是RDNA4阵容的头阵产品，未来数周内，AMD还将公布多款RX 9000显卡。

目前除了RX 9060XT，还有一款Navi 48GPU的产品正在浮现，那就是RX 9070GRE，在上次的讨论中，AMD提到，以后可能都会出后缀“GRE”的产品，因为其定义为“Great Radeon Edition”。

根据VideoCardZ的独家消息，新的RX 9070GRE基于Navi 48XL GPU，配备了3072个SP流处理器，较完整版本缩减了1/4。其核心频率将高于RX 9070，达到2790MHz，因此其FP32算力为17.1TFlops，而RX 9070的算力为18TFlops。

RX 9070GRE配置了192Bit 12GDDR6显存，显存速度下降为18Gbps，这表示带宽将下降到432GB/s，比两款先发产品下降了约1/3。

显然，AMD认为RX 9060XT和RX 9070之间有一段比较大的性能空白，而这款大残的RX 9070GRE将填补这个位置。外媒还提到，一些非公设计将该型号推上了3.0GHz的核心频率，因此其超频空间应该比较大。

其实大家更关心的还是这款显卡的性能，我个人估计，应该Time Spy分数在25000左右，对标N卡性能估计是RTX 4070SUPER或者说是RTX 5070。但是这款卡的缺点在于12G显存，本来大家买A卡图一个大显存，你这缩到12G，本来自家显存压缩技术就不行，这下优势没有了，4K指定是say goodbye。价格方面，我估计定价为3999￥。

再来看半导体业界消息，很显然近期美国在对台积电不断施压，而台积电我们早就知道他本质“美积电”。在本周四的财报电话会议上，该公司计划将30%的N2产量分配在美国生产，并计划将其在亚利桑那州凤凰城附近的Fab 21工厂打造成为一个独立的半导体产业群。

台积电表示，公司有意加快建设新的Fab 21模块，以生产N3（3纳米级）、N2和A16（1.6纳米级）节点的芯片。

台积电首席执行官兼董事长魏哲家在事先准备好的发言稿中表示：“项目竣工后，我们约30%的2纳米及以上工艺产能将位于亚利桑那州，从而在美国打造一个独立的尖端半导体制造集群。这还将创造更大的规模经济效益，并有助于在美国构建更完善的半导体供应链生态系统。”

为了在亚利桑那州生产30%的N2和A16芯片，台积电将增建两个Fab 21模块。目前，该公司已确认计划在台湾新竹和高雄科学园区建设至少三个可生产N2和A16芯片的晶圆厂模块，并将投入更多模块，因此台湾仍将生产台积电先进芯片的大部分份额。然而，台积电30%的N2和A16芯片在美国生产无疑意义重大。

根据最新的消息，Fab 21工厂1号模块目前已经开始为其美国客户量产采用N4和N5工艺的芯片。该公司位于亚利桑那州的第二座制造工厂——可支持N3工艺的Fab 21工厂2号模块已经完工，公司正努力提前开始设备安装，力争将该工厂的芯片量产时间从最初模糊的2028年计划提前至少几个季度。

台积电的远端计划是将Fab 21发展为一个“GigaFab”集群，生产能力至少为每月 100,000 片晶圆，但具体何时实现还有待观察。