台积电遭冷，下一代AMDZen6拥抱三星4nm工艺

AMD目前正积极推进下一代Zen6架构的研发，涵盖消费级和数据中心市场。关于Zen6架构中CCD部分的工艺选择，目前业界有两种说法，一是采用台积电N3 3nm工艺，另一种则可能选择台积电N2 2nm工艺。无论哪种选择，Zen6架构都将是AMD在制程技术上的一次重要升级。

在Zen5架构中，锐龙9000系列的IOD部分采用了台积电4nm工艺，而CCD部分则使用了6nm工艺，延续了锐龙7000系列的设计。EPYC 9005系列则在IOD部分采用了台积电4nm（Zen5）和3nm（Zen5c）工艺，CCD部分依旧是6nm。这表明，Zen5架构的IOD和CCD部分虽然存在不同的工艺选择，但它们在很多方面是相似的，尤其是在数据中心和消费级产品的应用场景上。

那么，下一代Zen6架构的IOD部分将如何选择呢？此前的分析认为，Zen6的IOD部分可能会继续采用台积电的4nm工艺，具体来说是N4P。台积电N4P工艺相比N5工艺具备更高的能效和更低的功耗，适合在IOD这类对功耗要求较高的组件上使用。然而，最近的消息则表明，Zen6架构的IOD部分可能会切换到三星的4LPP工艺，而不是继续使用台积电的制程。尽管三星的4LPP工艺在性能和能效上略逊一筹，但它的低功耗特性仍使其成为一个不错的选择，尤其是在对性能要求不那么苛刻的IOD领域。

三星的4LPP工艺自2022年量产以来已经相当成熟。该工艺的晶体管密度为每平方毫米1.37亿个，与台积电N5工艺相当，仅比N4P低了约5%。更重要的是，三星4LPP工艺的成本相对较低，这为生产高性价比的IOD提供了理想的解决方案。因此，尽管三星工艺在某些方面不及台积电，但它的优势在于更成熟的生产技术和低成本。