與之前的報道相反，i5-1440不會有14個核心，而是保留10個核心，即將於明年初發布
衆所周知，非K型號是K系列的較低頻率和較低功耗版本，通常會較早推出。即將更新的13代酷睿更新版系列被稱爲14代酷睿系列，10月左右推出，包含14900K、14700K、14600K型號，不過還計劃在明年初推出更多不帶K品牌的型號，功耗65W，降低超頻潛力
目前確認i7-14700或配備20核心，就像14700K一樣，i5-14400和i3-14100也會類似的升級，核心數比當前更多，未經證實的消息說明，i5-14400使用6個高性能核和4個高效核心，與前身的核心數量相比無差
在默頻和三級緩存大小方面，14代系列沒有任何重大變化，但14700(K)型號除外，該型號由於核心數量增加，三級緩存增至33MB，i5-14500的P核默頻爲2.6GHz，比當前的2.5GHz略有提高，睿頻不清楚，但預計會比當前系列高出約200MHz
此外，英特爾670p 1TB硬盤目前的售價非常低，正常售價爲46美元，但今天已打折至36美元(參考國內價格59元！)
2021年英特爾670p硬盤首次亮相，性能穩定，最大的缺點是1TB型號的零售價爲154美元，但今天的折扣完全消除了這一擔憂，它是目前能找到的最實惠的硬盤之一
英特爾670p採用慧榮科技SM2265主控和英特爾144層QLC閃存，1TB型號的讀/寫速度3500/2700Mbps
該硬盤支持256位AES加密，可以使用它來保護數據，享有英特爾提供的5年製造商保修，硬盤達到370TBW，該保修失效，此外還享受30天退貨規範
材料工程前沿的新研究爲計算設備帶來真正令人震驚的性能改進，由usHellbrand等人領導的研究小組。劍橋大學相關人員認爲，這種新材料基於由電壓變化的鋇尖峯隧道效應的氧化鉿層，融合了內存和處理相關材料的特性，這些設備可以用於數據存儲，提供的密度是存儲介質的10到100倍，或者可以用作處理單元
這項研究發表在科學進展雜誌上，爲我們指明瞭一條道路，通過這條道路，計算設備會更高的密度、性能和能源效率，基於該技術(稱爲連續範圍)的典型USB記憶棒可以容納比目前使用的USB記憶棒多10到100倍內存的密度，正常情況下容量每四年翻一番，正如JEDEC指出的那樣，內存製造商需要數十年的時間才能達到與該技術今天所顯示的相同的密度水平
該設備還是神經形態計算隧道一盞燈與大腦神經元一樣，這種材料(稱爲電阻開關存儲器)作爲存儲和處理介質，這在當前的半導體技術中根本不會發生，存儲單元所需的晶體管和材料設計安排與處理單元所需的晶體管和材料設計安排非常不同(主要是在耐用性方面，不遭受性能降價的能力)，目前還沒有辦法將它合併
這種無法合併它的情況意味着信息在處理系統及各種緩存(當考慮現代CPU時)以及外部內存池之間持續流動。在計算中，這被稱爲馮諾依曼瓶頸，獨立內存和處理能力的系統從根本上受到它之間的帶寬(通常稱爲總線)的限制，這就是爲什麼所有半導體設計(從英特爾到AMD、英偉達等)都設計專用硬件來加速這種信息交換，無限織物和NVLink
問題在於這種信息交換會產生能源成本，而這種能源成本目前限制了可實現性能的上限。當能量循環時，也會存在固有的損耗，導致功耗增加(當前硬件設計的硬性限制，也是半導體設計中日益重要的優先事項)以及熱量的增加，這是硬性限制，導致越來越奇特的散熱的開發，試圖讓其暫時失效。當然，還有可持續性因素在，不久的將來，計算消耗全球能源需求的30%
在很大程度上，能源需求的爆炸式增長是由於當前計算機存儲技術的缺陷造成的，劍橋大學材料科學與冶金系的第一作者馬庫斯·海倫布蘭德說在傳統計算中，一側有內存，另一側有處理器，數據在兩者之間重新洗牌，這既需要能量又需要時間
合併內存和處理器的好處是相當好的，雖然傳統存儲器只能有兩種狀態(1或0，二進制命名法的原因)，但電阻開關存儲器件可以通過一系列狀態改變電阻得它能夠在更多的電壓下運行，從而可以編碼更多在足夠高的水平上，與NAND領域中發生的過程大致相同，每個單元位數的增加對應於存儲單元設計中解鎖的更多電壓狀態
區分處理器和存儲的一種方法是，處理信息正在按照切換週期請求的速度進行寫入和重寫(添加或減去、轉換或重組)存儲信息需要在較長時間內保持靜態，因爲它是Windows或Linux核心的一部分
爲了構建這些突觸設備，正如論文所提到的，研究團隊找到一種方法來解決材料工程瓶頸，即均勻性問題。由於氧化鉿(HfO2)不包含任何原子級結構，因此決定或破壞絕緣性能的鉿和氧原子會隨機沉積，這限制了它在傳導電子(電力)方面的應用；原子結構越有序，造成的阻力就越小，速度和效率就越高，但研究小組發現，在非結構化氧化鉿薄膜中沉積鋇(Ba)會高度有序的鋇橋(或尖峯)，而且由於它的原子結構更加結構化，這些橋可以更好地允許電子流動
但當研究團隊發現可以動態改變鋇尖峯的高度，從而可以對電導率進行細粒度控制時，有趣就開始了，尖峯可以以約20納秒的速率提供開關能力，可以在該窗口內改變電壓狀態(從而保存不同)，開關耐久性>10^4個週期，內存窗口>10，雖然該材料速度很快，但它目前可以承受的最大電壓狀態變化次數爲10000次循環，這不是一個可怕的結果，但也不是一個令人驚奇的結果
它相當於MLC(多級單元)技術的耐用性，這自然會限制應用，使用這種材料作爲處理介質(中電壓狀態快速變化，以保存計算及中間結果的存儲)
粗略地計算一下，大約20ns的切換導致工作頻率爲50MHz(轉換爲每納秒的週期數)，當系統全速處理不同狀態時(作爲顯卡或CPU工作)，鋇橋在0.002秒左右停止運行(達到耐用極限)(它僅以50MHz運行)，對於處理單元來說它的性能不夠
但爲了存儲最密集的NAND技術和更多間接電壓狀態(10或100倍)，這就是存儲容量密度高10到100倍的USB記憶棒的用武之地，這些突觸設備可以訪問比最寬敞的USB記憶棒中
誰不想手上有一個10TB甚至100TB的USB7硬盤呢呢
在鋇電橋的耐用性和開關速度方面還有一些工作要做，該設計已經是一個誘人的概念，證明更好的是，半導體已經使用氧化鉿，因此需要克服的工具和物流噩夢更少
但這裏有一個特別巧妙的產品可能性，想象一下，該技術已經改進到可以製造可用於設計AMD或英偉達顯卡(目前運行頻率爲2GHz)，在某個世界中，顯卡重置出廠狀態，完全作爲內存運行(現在想象一下10TB顯存的顯卡，與USB記憶棒相同)
想象一下這樣一個世界，AMD和英偉達提供的本質上是可編程顯卡，基於連續範圍的顯卡芯片在最大存儲能力進行了堆疊(記住比當前USB密度高10到100)，一位人工智能愛好者試圖運行大型語言模型(LLM)，可以對顯卡進行編程，以便適量的合成設備(這些神經形態晶體管)運行處理功能，隨着複雜性的增加，無法確定模型會利用多少萬億個參數，因此內存變得越來越重要
能夠決定圖形卡晶體管是完全用作內存還是完全用作養眼放大器以圖形設置提高到11個，這完全取決於用戶；從休閒玩家到高性能計算(HPC)人員即使芯片的壽命會明顯縮短
總是在升級它，不是嗎
但不要操之過急，這不像人工智能的開發及監管那麼危險，但目前爲止的夢想沒有什麼收穫與所有技術一樣，當它準備就緒時，它就會到來有的話
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