RX 9070GRE規格透出，大殘Navi48核心配12G顯存

來源——AMP實驗室

有誰在等它？

RDNA4的RX 9070/XT發佈已有一段時間，相當多的玩家搶購到了原價4399和4999的新A卡，但是大部分打算購買A卡的玩家還是在等不需要搶購的這些A卡。這兩款只是RDNA4陣容的頭陣產品，未來數週內，AMD還將公佈多款RX 9000顯卡。

目前除了RX 9060XT，還有一款Navi 48GPU的產品正在浮現，那就是RX 9070GRE，在上次的討論中，AMD提到，以後可能都會出後綴“GRE”的產品，因爲其定義爲“Great Radeon Edition”。

根據VideoCardZ的獨家消息，新的RX 9070GRE基於Navi 48XL GPU，配備了3072個SP流處理器，較完整版本縮減了1/4。其核心頻率將高於RX 9070，達到2790MHz，因此其FP32算力爲17.1TFlops，而RX 9070的算力爲18TFlops。

RX 9070GRE配置了192Bit 12GDDR6顯存，顯存速度下降爲18Gbps，這表示帶寬將下降到432GB/s，比兩款先發產品下降了約1/3。

顯然，AMD認爲RX 9060XT和RX 9070之間有一段比較大的性能空白，而這款大殘的RX 9070GRE將填補這個位置。外媒還提到，一些非公設計將該型號推上了3.0GHz的核心頻率，因此其超頻空間應該比較大。

其實大家更關心的還是這款顯卡的性能，我個人估計，應該Time Spy分數在25000左右，對標N卡性能估計是RTX 4070SUPER或者說是RTX 5070。但是這款卡的缺點在於12G顯存，本來大家買A卡圖一個大顯存，你這縮到12G，本來自家顯存壓縮技術就不行，這下優勢沒有了，4K指定是say goodbye。價格方面，我估計定價爲3999￥。

再來看半導體業界消息，很顯然近期美國在對臺積電不斷施壓，而臺積電我們早就知道他本質“美積電”。在本週四的財報電話會議上，該公司計劃將30%的N2產量分配在美國生產，並計劃將其在亞利桑那州鳳凰城附近的Fab 21工廠打造成爲一個獨立的半導體產業羣。

臺積電表示，公司有意加快建設新的Fab 21模塊，以生產N3（3納米級）、N2和A16（1.6納米級）節點的芯片。

臺積電首席執行官兼董事長魏哲家在事先準備好的發言稿中表示：“項目竣工後，我們約30%的2納米及以上工藝產能將位於亞利桑那州，從而在美國打造一個獨立的尖端半導體制造集羣。這還將創造更大的規模經濟效益，並有助於在美國構建更完善的半導體供應鏈生態系統。”

爲了在亞利桑那州生產30%的N2和A16芯片，臺積電將增建兩個Fab 21模塊。目前，該公司已確認計劃在臺灣新竹和高雄科學園區建設至少三個可生產N2和A16芯片的晶圓廠模塊，並將投入更多模塊，因此臺灣仍將生產臺積電先進芯片的大部分份額。然而，臺積電30%的N2和A16芯片在美國生產無疑意義重大。

根據最新的消息，Fab 21工廠1號模塊目前已經開始爲其美國客戶量產採用N4和N5工藝的芯片。該公司位於亞利桑那州的第二座製造工廠——可支持N3工藝的Fab 21工廠2號模塊已經完工，公司正努力提前開始設備安裝，力爭將該工廠的芯片量產時間從最初模糊的2028年計劃提前至少幾個季度。

臺積電的遠端計劃是將Fab 21發展爲一個“GigaFab”集羣，生產能力至少爲每月 100,000 片晶圓，但具體何時實現還有待觀察。