PCIe5.0 固態已經出來很長一段時間了，不知道各位同學都用上了沒？
就在最近，以往 SSD 的龍頭三星終於推出了自己的旗艦級 PCIe5.0 固態，並且把自己的消費級固態容量提升到了 8TB。
算是趕上了 PCIe5.0 首發的末班車。
與此同時，據韓媒報道，三星和國產的長江存儲達成合作，下一代 V10（第十代）NAND 顆粒將會採用長江存儲的混合鍵合技術專利進行封裝製造。
也就是說在存儲行業的龍頭老大，向一個不起眼的對手取經了，畢竟在去年的 Q2 季度，咱們的長江存儲市佔率還處於 Others。
估計看到這，很多電粉和阿紅一樣，腦袋都是「嗡」的一下，差點沒轉過來，國產存儲咋一下這麼厲害了。
想要知道具體原因，咱們還得做個簡單的回顧：
NAND 閃存顆粒的發展史
衆所周知，咱們無論是手機、電腦都會用到的存儲，無論是板載芯片還是固態硬盤，都離不開的就是存儲的 NAND 顆粒。
爲了增加存儲容量，一開始是在平鋪的浮柵晶體管晶圓層（存儲電子基礎單元）上想辦法，也就是咱們說的 SLC、MLC、TLC、QLC 區別。
這就好比是小區中規劃房子多少的區別，SLC 只存儲 1bit 的數據，而 TLC 就可以存儲 3bit 的數據了。
也就是說，越往後，相同面積下能存儲的數據也就越多。
但讀寫速度就跟送快遞一樣，面對 SLC 這種簡單的存儲單元，很快就能送達或者收件，但越往後尋找難度就越大，投射到產品上就是讀寫速度會越來越慢。並且因爲存儲電子的狀態更多了，所以顆粒壽命也就隨之斷崖式下滑。
但我們的存儲容量需求還在上漲，於是大夥兒就想出了另一個路子——蓋樓房
也就是一層 NAND 劃分到極限了，那就多整幾層，有更多的存儲單元。
這項技術由三星 2013 年重視快速發展的，並且於 2019 年搞到了 128 層 3DNAND，而同時期的長江存儲，也纔剛剛投入 64 層。
三星就這樣一路蓋到了 9100 PRO 身上的 236 層。
而就在挑戰下一代 420-430 層的時候。自家CoP（Cell-on-Periphery）技術扛不住了。
它本來是在單片晶圓上將外圍電路置於存儲單元下方，然後在上面逐層堆疊，但是隨着堆疊層數超過 400 層，下面的電路承受不了巨大的機械應力和熱應力導致可靠性驟降，良率極差。
並且就算生產出來，產品的質量也得打個問號。
物理性質不可能靠人的意志解決，走不通的三星就只好換個路子，找來找去就盯上了長江存儲的憑藉「晶棧 Xtacking」後發制人的混合鍵合技術。
Xtacking 的特點是在兩片晶圓上分別將存儲單元與外圍電路分開製造，然後再通過晶圓對晶圓（W2W）鍵合。
好處是電氣性能提升，鍵合界面金屬互連間距縮短至 1μm 以下，電阻降低 40%，I/O 速度提升至 3.2Gb/s（三星原技術爲 2.4Gb/s）。
散熱效率也優化了，鍵合層熱導率提升至 300 W/(m·K)（傳統凸塊技術爲 50 W/(m·K)），解決了高堆疊層的熱失效問題。
最重要的是工藝複雜度降低了，減少了 20% 的光刻和蝕刻步驟。
簡單來說，就是比你便宜還比你好，這你受得了嗎？
三星接下來規劃的 V10-V12 基本都繞不開長江存儲的 Xtacking 技術，並且海力士也很有可能走三星相同的路，畢竟海力士在去年也宣佈了下一代將要使用混合鍵合技術。
與此同時，根據韓國科學技術評估與規劃研究院（KISTEP）近期發佈的「三大改變遊戲規則領域的技術水平深度分析」簡報，39 名韓國半導體專家進行的調查顯示，中國在除先進封裝以外的所有半導體技術領域的基本能力都超過了韓國。
總的來說，這次的事件證明咱們在科技半導體行業的進步是有目共睹的，三星是否會因爲這次的專利費而重新對固態行業價格進行上調操作咱們還不得而知，固態能否回到 2023 年的白菜價也很難預測。
但是有國產廠商這條鯰魚，想必下面存儲價格趕黃金這種情況應該不會再出現了。
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