前言
大家好，我是飄雷。
時間又到了一年一度的雙十一大促，各大電商平臺的促銷活動正在如火如荼舉行，相信也有不少朋友準備趁此機會入手自己心儀的SSD。
我自己近兩年已經上手測試過幾十款SSD了，在選購SSD時還是有一些自己的心得，年初也分享過8000餘字的SSD選購閉坑掃盲指南。
鑑於有些朋友反映，上一篇選購指南中的知識點有些晦澀，所以本期就爲大家帶來更加簡明扼要的雙十一SSD選購思路吧，另外找來4款最近熱度頗高的PCIe4.0 SSD進行了專業向的深入對比評測，並形成了萬餘字的詳細橫評報告（字數較多，建議先Mark再慢慢看）。
衷心希望本文能拋磚引玉，能幫助大家瞭解到底如何才能抽絲剝繭，在市面上琳琅滿目的SSD產品中慧眼識真，趁着雙十一大促的機會買到自己心儀的SSD產品。
話不多說，Let's go！
一、SSD簡要選購思路
這部分爲了方便大家理解記憶，咱們不囉嗦，儘量用幾句話帶過，理解基礎知識大體方向就行了。
1.選擇接口
對於大部分兄弟來說，我們最常接觸到的還是消費級固態硬盤，主要分爲2.5寸SATA SSD和M.2 SSD兩種規格，其中又以M.2 SSD最爲常見。
其中M.2接口的SSD也有SATA和NVMe兩種協議，大家根據自己現有的電腦接口來購買，不要買錯，咱們目前新裝機時購買新硬盤一般基本都是M.2 NVMe規格的了。
2.選擇PCIe協議
由於SATA SSD的應用場景比較狹窄，所以我們主要考慮NVMe M.2 SSD的問題。
NVMe協議的M.2 SSD走的是PCIe通道，滿速PCIe3.0 x4的M.2 SSD讀取速度能達到3500MB/s左右，滿速PCIe4.0 x4的M.2 SSD更是能達到7000MB/s以上。
同時NVMe SSD是可以向下兼容的，比如PCIe4.0 SSD完全可以插在PCIe3.0和PCIe2.0的M.2插槽上使用，只不過讀寫速度會受到接口的帶寬限制而已。
所以個人建議優先選擇PCIe4.0 SSD，假如主板只支持PCIe3.0接口的話，PCIe4.0的硬盤插在3.0接口上雖然速度會被限制，但是溫度表現也會比原生PCIe3.0的SSD更好些，更何況以後升級了平臺還能繼續用。
而PCIe5.0 SSD雖然速度快，但是太熱太貴，對普通用戶來說實際體驗還提升不大，暫時還不太建議入手。
3.選擇存儲顆粒
目前消費級SSD市場中我們能買到的存儲顆粒主要分爲TLC和QLC兩種，建議大家優先選擇TLC顆粒的SSD，在壽命和性能方面更有優勢。
其實QLC的SSD也不是不能用，起碼對於普通家用用戶來說沒啥能明顯感知的區別，只不過目前QLC顆粒還處於起步階段，在數據密度和性價比方面優勢不大，所以建議大家再觀望一下，等等技術進步。
NAND顆粒的存儲單元會在寫入時按電位表施壓充電，讀取時按電位表反查數據。
TLC、QLC二者的區別在於，TLC在1個儲存單位中存放3位數據，QLC在1個儲存單位中存放4位數據。
每個單元存儲的數據位數越多，需要的電位精度就越高，充電就更困難，檢驗失敗還需要重新充電，寫入就變得很慢，同時充電也會對浮柵晶體管造成更大損耗；讀取時也需要更高的精度，因此也會稍慢。
而這也是QLC的寫入性能和壽命要比TLC差一些的主要原因。
4.選擇DRAM方案
有獨立DRAM緩存顆粒的SSD我們一般稱之爲有緩盤，隨機讀寫性能更好，多爲各家廠商的高端或旗艦產品，典型代表爲海力士P44 Pro、三星SN850X、三星990Pro等，缺點是高性能帶來了高發熱，同時價格也是齁貴齁貴的。
反之，沒有DRAM緩存的方案則稱之爲無緩盤，例如本文將要測試的致態TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數據SN770、金士頓NV3和國產的佰維NV7400等等。
無緩SSD的真實隨機讀寫性能稍弱於有緩SSD，不過優點是價格便宜，同時發熱量大大減小，非常適合筆記本、迷你主機等散熱空間狹小的設備。
對於大部分普通用戶來說，個人其實更推薦無緩SSD。
5.選擇SSD品牌
就跟咱們買家電喜歡買大廠產品似的，固態硬盤領域也有大廠與小廠之分。一般來講大廠的品牌背書質量更加穩健，小廠的產品性價比更高，咱們還是要對這塊有個瞭解，然後結合自己預算和使用需求來綜合權衡。
目前世界上能自主生產存儲顆粒的廠商很少很少，能用上自家工廠生產的NAND顆粒的品牌纔有資格被稱爲原廠固態，具體來說只有致態（長江存儲）、三星、西數、SK海力士（Solidigm）、東芝（鎧俠）、美光（英睿達）這幾家而已。
比較推薦大家在預算充足的時候優先入手原廠SSD，在存儲顆粒可以自產自銷的情況下，物料來源的質量和穩定性都最好，不用擔心某些三方廠商一樣偷偷換硬件方案（說的就是你，X士頓）。
同時，原廠SSD技術雄厚，可以搭配自產的主控芯片或者自行調校固件，一般會有更強的性能表現。
6.選擇PCB佈局
這是一個很小的細節，一般不會有人注意到，不過在有些時候還真挺重要的。
M.2 SSD可以分爲單面佈局和雙面佈局，建議大家儘量選擇單面佈局的SSD。這類產品在背面沒有存儲顆粒之類的元器件，兼容性更強，在迷你主機或者筆記本電腦中加裝時不用擔心因爲過厚導致無法安裝的窘境。
另外單面佈局的SSD，其發熱集中於正面，方便我們使用散熱片或者主動氣流來進行散熱，整體的發熱表現要更好。
具體來說，在預算充足的情況下，更推薦大家入手原廠的PCIe4.0無緩SSD，尤其是咱們自家的致態TiPlus7100。
那麼可能有的朋友就要問了，致態TiPlus7100的實際表現究竟如何？與國外大廠的PCIe4.0無緩旗艦SSD相比，處於什麼水平呢？
所以本次我斥巨資入手了致態TiPlus7100、三星990 EVO Plus、西部數據SN770和金士頓NV3這4款1TB容量的SSD進行橫向評測，並形成了接近萬字的分析報告。
是騾子是馬拉出來溜溜，性能孰優孰劣，一對比就立刻就有結果了。
首先，這裏我把參與橫評的4位選手的主要信息整理成表格，方便大家對比。
其中每一行橫向對比時，綠色代表更優，黃色代表普通，紅色代表參數弱一些。可以看到致態TiPlus7100和三星990 EVO Plus佔優的項目明顯更多。
接下來咱們來具體看看這4位選手：
1.致態TiPlus7100 1TB
TiPlus7100是一款PCIe4.0滿速無緩盤，採用了基於長江存儲晶棧®Xtacking®技術架構的存儲顆粒，該架構即便在世界範圍內來說都屬於技術最先進的一檔。
作爲長江存儲旗下唯一零售存儲品牌，致態給TiPlus7100用上了國產固態中體質最好的長存原廠顆粒，是真正的國產固態硬盤標杆，無論性能、質量還是壽命都是同類產品的上優之選，很推薦預算充足的朋友入手。這款SSD也是今天4位選手中我最推薦的。
2.三星990 EVO Plus 1TB
990 EVO Plus是三星剛剛發佈的PCIe4.0無緩旗艦SSD，主控與存儲顆粒都爲三星自產，目前價格不便宜，1TB的售價接近600元。
目前市面上對這款SSD的深入測試比較少，作爲存儲領域龍頭企業之一的新品，我自己還是很有興趣瞭解一下的，本次順帶測試一下這款新貴的性能表現。
3.西部數據SN770 1TB
在西數系列的SSD產品線中，SN850X是PCIe4.0有緩旗艦盤，而在無緩盤這邊，目前定位最高的竟然是SN770這款有點舊的PCIe4.0半速盤，讓人有點摸不着頭腦，感覺西數在產品節奏方面有點懈怠了。
不過從測試結果來看SN770本身還是原廠SSD中比較優秀的，畢竟有自產顆粒+自產主控的加持，技術力還是有的。
4.金士頓NV3 1TB
金士頓雖然是老牌大廠了，但實際上它家的SSD其實並非原廠盤範疇，本質上來說和佰維、光威等一樣都屬於第三方存儲廠商，甚至阿金都還沒有自己的顆粒封裝產品線咧。
不過由於金士頓的存儲產品在線下渠道商的銷量很高，還是有相當一部分消費者很認可這個品牌的，以至於經常有朋友認爲這是原廠盤。所以這次還是選了剛上市不久的NV3來參與對比測試，同樣爲大家展示一下性能。
有一說一，這塊盤其實很有點奇怪。
看標稱性能參數和320TBW的耐用度，給人的第一印象是，這似乎是一塊QLC SSD。
但是實際測試過程中發現，在大部分項目中NV3就是TLC盤的性能指標，但是SLC緩外寫入速度又像QLC盤，讓人摸不着頭腦。
揭開貼紙瞅了眼，顆粒被重新打上了金士頓自己的標，看不出原始製造商，主控是羣聯的PS5027-E27：
所以在完成測試之後，我回過頭額外用FlashID看了一眼，確認我手頭這一塊使用的是東芝的TLC顆粒。
按理說一塊1TB容量的TLC SSD，沒必要只給320TBW的，鑑於金士頓在NV2上各種讓人眼花繚亂的顆粒方案組合，所以不排除這塊盤在後期有更換爲QLC顆粒的可能性。
簡單看過外觀後，咱們首先使用CrystalDiskInfo來看一眼這四款SSD的SMART參數：
可以看到，致態TiPlus7100和三星990 EVO Plus採用了NVMe 2.0協議版本，而西數SN770和金士頓NV3則採用了舊一些的NVMe 1.4版本。NVMe 2.0協議相較於NVMe 1.4而言技術更新，可以減少對存儲數據的重寫，降低硬盤的寫入放大係數，減少CPU計算負荷，提高SSD性能和壽命。
另外4款SSD中，致態TiPlus7100的可用容量最大，爲1024.2GB（10進制），其他三款SSD均爲1000.2GB。
接下來再來查看一下CrystalDiskInfo沒有列出的更詳細的SMART信息：
這其中比較值得我們注意的就是SSD的功耗檔位設置與溫控策略了，我整理成了表格方便對比：
可以看到，由於這4款SSD均爲DRAM-Less無緩盤，所以功耗都不高，致態TiPlus7100和金士頓NV3的最高功耗也不過只有6.5W而已，實際使用時其實還要低於這個功率。
而在功耗牆方面，致態TiPlus7100設置的比較寬鬆，警告溫度爲90℃，溫度牆爲95℃，超過這個溫度就要觸發降速了，其他幾塊盤的溫控設置如表中所示。
不過溫度牆數值高並不意味着發熱高，致態TiPlus7100在實際使用過程中的發熱反而是4款SSD中比較低的，這一點會在下面的溫度表現環節進行詳細展示。
由於Windows中2進制與10進制的換算關係（在Windows的資源管理器中明明用二進制的GiB來計算容量，可是非要顯示10進製爲GB），4款SSD上機後在Windows磁盤管理器中顯示的可用容量都會減少一些，這是正常情況，並非廠商偷工減料導致。
如下圖所示，致態TiPlus7100在Windows中的可用容量爲953.87GiB（二進制），其餘三款SSD均爲931.5GiB，對用戶來說致態相當於直接多給了20多GiB的可用容量，還是挺好的。
測試平臺
本次測試使用的測試平臺配置如下：
CPU：intel i5-14600KF
主板：AORUS Z790 ELITE X
內存：佰維 DX100 DDR5-6800 16GB X2
SSD：Intel 傲騰900P 280G（系統盤）、雷克沙ARES 4TB（對拷盤）
顯卡：藍戟Intel A380
系統：Windows11 專業版 24H2
需要說明的是，SSD的性能除了會受到CPU主頻和單核性能影響以外，整個平臺的PCIe有效載荷Maximum Payload Size（MPS）也會對測試結果產生影響——正常來講，MPS越大，數據包傳輸效率越高，帶寬上限更大。
目前消費級PC平臺中，只有AMD處理器才能支持512字節MPS，理論上PCIe4.0x4接口可以提供7.56GB/s的數據傳輸速率（7.877GB/s x96%）；Intel平臺只支持256字節的MPS，實踐中PCIe4.0x4接口的理論速率上限就被限制到了7.24GB/s以內（7.877GB/s x92%）。
所以在CrystalDiskMark等軟件的測試過程中，可能會發生順序讀寫速度被Intel平臺所限，無法達到官方標稱性能的情況，還請大家理解，這並不SSD本身質量問題導致。
基礎測試
1.CrystalDiskMark
作爲最常用的硬盤測試軟件之一，CrystalDiskMark能夠非常直觀的展示SSD在SLC緩內的讀寫性能表現，大部分SSD廠商的標稱參數也正是由該軟件測試而來的。在對4款SSD進行格式化後，使用CrystalDiskMark分別對其進行測速。
根據CrystalDiskMark的測試結果，在順序讀寫方面，致態TiPlus7100的讀取速度爲7108.75 MB/s，寫入速度爲6398.11 MB/s，7讀3寫混合速度爲5969.19 MB/s，無論是單純的讀/寫還是混合讀寫性能，均排名第一。其餘3款產品按從強到弱的順序排列，分別是三星990 EVO Plus、金士頓NV3和西數SN770。
而在多隊列多線程的最高隨機讀寫速度方面，可以看到致態TiPlus7100在隨機讀取方面成績最好，隨機寫入性能位居第三名。
Q1T1 4K隨機讀寫性能方面，除了金士頓NV3以外，其餘3款SSD在重要的4K單隊列隨機讀取項目中均取得了90 MB/s以上的好成績。
這裏需要提醒大家，像CrystalDiskMark、AS SSD Benchmark和Txbench的基礎測試這類軟件，對SSD的測試結果是浮於表面的，只有參考價值，大家一般看看順序讀寫速度即可。
這類軟件測試原理和測試項目基本相同，在左側都會羅列幾種不同隊列的測試項目，在測試過程中都會先在SSD的SLC緩存內生成一塊固定容量存儲空間用於讀寫測試，所以一般選擇其一用來測試即可，並且部分測試項目會受到SLC緩存的加速作用影響，並不能完全代表SSD的真實性能表現。
所以如果你看到一份SSD測評中只有幾個類似軟件的測試結果，那大概率是作者在灌水，或者並不懂SSD吧，總之參考意義就不大了。
2.Windows大文件讀寫
Windows的文件資源管理機制其實很拉胯，以咱們平時最常用的複製——粘貼操作爲例，在Win10下單進程的實際讀寫速度通常在3GB/s左右；即使升級到Win11，單進程寫入速度也基本很難超過4GB/s。
在這裏我使用FIO生成了一個100GB的不可壓縮僞隨機數據測試文件，首先從對拷盤中向4款SSD中進行寫入操作。
最終彙總的寫入曲線如下圖所示，由於有着SLC緩存的加持，4款SSD的寫入曲線都很穩，基本都沒啥波動。
把大致的寫入速度彙總成柱形圖可以看出來，還是致態TiPlus7100速度更快一些。
而讀取測試時，就要將剛纔寫入4款SSD中的100GB測試文件再複製到對烤盤，最終曲線彙總如下：
可以看到在單文件讀取方面，4款SSD中也都沒啥問題，偶發的波動應當是對烤盤端導致。同樣在該項測試中，也依然是致態TiPlus7100的速度最快：
另外這裏三星990 EVO Plus的讀取速度明顯比其他3款SSD低一些，個人盲猜是由於這款SSD的WriteBack策略太積極導致，在讀取測試時正好遇到了主控將SLC緩存中的數據回寫至TLC區域的過程，耽誤了部分性能。
3.Fastcopy大文件讀寫測試
由於Windows的複製粘貼只是利用了SSD的單隊列讀寫性能，爲了觀察在實際使用時這幾位選手的極限順序讀寫性能，這裏我們使用Fastcopy同樣對剛纔的100GB測試文件進行讀寫操作，並分別對比消耗的時間。
使用Fastcopy對4款SSD進行寫入的截圖彙總如下：
讀取截圖也如下圖所示：
將以上數據做成圖表可以進行更直觀地對比。可以看到，在使用Fastcopy寫入時，4款SSD的耗時相差無不大，誤差不過1秒左右。
倒是讀取100GB文件的耗時有了較大區別，其中西數SN770和致態TiPlus7100的速度最快，二者耗時分別爲21.2s、21.4s，金士頓NV3的耗時要比二者長了3.5s左右，而三星990 EVO Plus的讀取速度最慢，耗時竟然達到了31.5s。
應用場景模擬測試
1.PCMARK 10 完整系統盤基準測試
有很多朋友很關注將SSD作爲系統盤時的使用表現，但是實際這個關於是否流暢的體驗很難用語言描述，畢竟主觀感受真的沒有量化數據來得清晰。
尤其像咱們日常使用Windows系統時，由於系統在後臺運行的進程往往不受我們控制，很難自行規劃一個排除變量的測試流程。
所以這裏我們使用PCMark10的完整系統盤基準測試功能，來對SSD實現量化評估，而不是像某些KOL一樣，將被測盤作爲Win系統盤時使用遊戲加加對其進行測試，並且測得SSD讀寫延遲低於CPU三緩後，宣稱西數SN5000S是一款“讀取密集型固態”——後臺進程你都控制不了，變量都無法排除，還測個什麼勁兒呢測？啥時候消費級SSD也配稱作讀取密集型了？
圖源：@HOMOLAB
PCMark 10的完整系統盤基準測試包含23項測試場景，每個場景都會運行三次，通過對來自流行應用程序和常見任務的相關實際硬盤軌跡跟蹤，可以全面而且反映現在最新存儲設備的性能。
具體來說，測試項目包括Windows 10啓動、應用程序/遊戲啓動、複製多個大文件和許多小文件、Office和Adobe應用程序運作時的硬盤軌跡等。
PCMARK 10自帶對比功能，可以看到，除了西數SN770得分相對略低以外，其餘3款SSD分別都達到了4000以上的高分。可以說，4000分基本可以看做一個分水嶺，超過這個分數的，都是目前消費級PCIe4.0 SSD中的T0旗艦水平。
而西數SN770的3650分其實也不算低了，也是比較優秀的成績，只是和三位大哥同臺競技，才顯得稍微弱了一丟丟而已。
2.LightRoom文件載入時長對比
爲了貼合PCMARK 10更傾向於辦公場景的測試，這裏我決定實戰一波，在這4款SSD上，分別使用Lightroom導入總大小爲6.36GB的191張RAW格式照片，並對導入耗時進行記錄與對比。
4款SSD的導入耗時如下圖所示：
這裏還是用圖表來展示，4款SSD中，導入最快的是致態TiPlus7100的18s，其次依次是金士頓NV3的19s和西數SN770的19.5s緊隨其後，只是沒想到三星990 EVO Plus的成績要顯著慢了一截。
3.《黑神話:悟空》載入時長對比
接下來還是用實際遊戲的載入速度來稱稱斤兩吧。
這裏我通過STEAM安裝了128GB的《黑神話：悟空》，並且選擇其中的基準測試項目，來橫向對比4款SSD加載進入測試畫面的耗時。
可以看到，實際加載《黑神話：悟空》測試工具時，速度最快的是致態TiPlus7100的18.2s，西數SN770也是基本無差的18.3s，金士頓NV3比二者慢了1s左右，反倒是三星990 EVO Plus加載需要22.8s，耗時還是長得挺明顯。
要知道我可是剛安裝完遊戲就立馬進行測試的，理論上來講其實遊戲文件應當還處於SLC緩存範圍內纔對，搞不太懂爲啥三星990EP的表現明顯不同，或許是黑猴子128GB的文件體積已經超出了其SLC緩存容量的緣故？
專業向測試
1.全盤讀寫曲線 & SLC緩存方案對比
爲了深入探索4款SSD的SLC緩存方案，這裏我們對其進行RAW格式下的全盤範圍順序讀寫測試（128KB，Q32T1），並以曲線圖的形式爲大家展示，各家方案的區別一眼就能看出來。
仔細觀察致態TiPlus7100的全盤寫入曲線，可以看到這是國產SSD中非常常見的三段式特徵，標準的動態SLC緩存方案，特別適合大容量數據集中寫入的操作。
空盤狀態下，致態TiPlus7100 1TB的SLC緩存在150GB左右，環內寫入速度在5600MB/s左右，調用了一半剩餘空間用於模擬SLC緩存。
出緩後立刻進入第二段TLC直寫階段，並且直寫速度達到了驚人2500MB/s左右。
當TLC區域用光後，進入了第三段WriteBack懲罰階段，此時SSD要一邊將SLC緩存中的數據重新釋放爲TLC區域，一邊還要兼顧新數據的寫入，所以性能有所下降。即便如此，在第三段的平均速度也能達到900MB/s上下，性能非常強勁。
接下來我們再來看看三星990 EVO Plus的寫入曲線：
三星990 EVO Plus 1TB的SLC緩存給的有點小，空盤情況下只有108GB左右，不過緩內寫入速度挺不錯，能達到6200MB/s左右。
雖然不是全盤模擬方案，但是三星還是選擇了把WriteBack懲罰前置，在SLC緩存耗盡後直接進入WriteBack懲罰階段，寫入速度大幅度下降至不到1000MB/s，並且波動很大，穩不下來。
感覺三星的存儲固件部門有些喫老本了，這個懶惰的回收策略其實挺讓人摸不着頭腦的。本身990 EVO Plus給的SLC緩存就較小，不利於爆發式寫入任務，這下出緩後直接進入性能懲罰？緩內緩外都沒喫到紅利，就讓人有點麻爪。
西數SN770 1TB的全盤讀寫曲線如下圖所示：
西數SN770採用的是典型的全盤模擬SLC緩存方案，雖然緩內空間很大，在空盤狀態下達到了全盤的1/3容量，緩內寫入的表現也不錯，但是一旦遇到真正的超大量數據寫入，SLC Cache耗盡後，寫入速度就會一落千丈，WriteBack懲罰階段直接跌落至500MB/s左右的速度。
本來以爲SN770作爲西數在PCIe4.0時代的旗艦級黑盤，會延續SN750的輝煌表現，沒想到它只是SN550的進階版而已。
接下來看看金士頓的全盤讀寫曲線，真的很有意思，值得多說幾句：
金士頓NV3與西數SN770類似，也是採用了全盤模擬方案，使用剩餘空間的1/3模擬SLC緩存，不過看到這條寫入曲線後，我陷入了深深的矛盾，很難想象一條曲線既有TLC特徵，又有點像QLC盤。
首先，金士頓NV3的SLC緩存佔全盤的1/3左右，正常來說正好是TLC SSD模擬SLC的比例，到這裏還沒啥問題。
但是它出緩後的寫入速度只有不到300MB/s，我只在Solidigm P41 Plus等QLC SSD中看到過這個速度，屬實有點過於慢了，比SN770還慢。
而文章開頭提過的，FlashID顯示結果證明了我手頭這塊NV3確實是TLC顆粒——那你爲啥要把參數和TBW標註得像塊QLC SSD一樣？爲啥緩外寫入速度要這麼慢？盲猜金士頓NV3的固件其實是爲了QLC顆粒調校的？再結合320TBW，只能說後續有大概率要偷摸換成QLC顆粒。
只能說阿金你是會玩整活兒的。
考慮到有的朋友還是有點懵，我們來對這款SSD的SLC緩存方案做個簡單的解讀吧。
1.以順序寫入一次全盤的耗時來對比，彙總成圖表如下，可以看到致態TiPlus7100是毫無疑問最快的，耗時斷崖式領先其他3位選手：
2.致態TiPlus7100的優勢還在於，SLC緩存耗盡後會先進入TLC直寫階段，高達2500MB/s的寫入直寫速度同樣能儘量保障寫入效率，反觀其他位選手出緩即斷崖式掉速。
這就說明，如果需要單次超大容量的數據寫入工作，致態TiPlus7100採用的動態SLC緩存方案更有優勢的，效率更高、用時更短。
2.SLC緩外4K隨機讀取性能
SSD的小粒度隨機存取性能是影響我們日常使用流暢性的關鍵。雖然SSD的真實運行過程是各種粒度、各種讀寫比例混雜的複雜流程，但是從4K小粒度隨機讀寫的性能中，我們可以管中窺豹。
我們日常使用電腦時，打開軟件或者加載遊戲等操作，所訪問的基本都是已經被挪出SLC Cache外的、在TLC區域內的數據。
在這種情況下，測試TLC區域內真實狀態下的4K隨機讀取性能就是一件很有意義的事情。
這裏爲了保證測試前SSD能夠進入髒盤穩態，先以128KB Q32T4順序寫入填盤兩次後，再對4款SSD進行時長爲600s的Q1T1 4K隨機讀取測試，最終得到了如下所示的SLC緩外4K隨機讀取速度曲線圖。
將平均速度彙總成柱形圖更方便對比：
致態TiPlus7100和新出的NV3並列在第一梯隊，平均速度都達到35MB/s左右，基本沒大差距。
西數SN770取得了第三名，達到了32.85MB/s。
反倒是同樣最新發布的三星990 EVO Plus竟然還不到30MB/s，這是我萬萬沒想到的。
3.4K隨機長時間寫入測試
這裏簡單科普下，一個SSD在正常工作期間會經歷三個階段，參考SNIA的提法，分別是：
FOB（Fresh Out of the Box）：就是全新的、剛開封的盤。經過安全擦除的SSD也近似於FOB狀態。這個時候的盤所有的頁都是空白的，任何寫入操作都可以直接進行編程，不需要考慮擦除、垃圾回收等操作的影響。消費類SSD的標稱性能都是處於這個狀態。這個階段的測試成績可以看做是養精蓄銳之後的衝刺，漂亮，但不可持續。
Transition：過渡或者轉換狀態。這個狀態的性能會明顯低於全新時的表現，但是又高於穩定態。不同的SSD在這個階段的性能表現和持續時間差異較大，這與主控、固件、介質都有關係。隨着技術進步，較新式的數據中心SSD會比早期的SSD更容易度過這個階段。這個階段可以看做是跑步期間休息了一會兒，再次跑起來的時候顯得還比較輕鬆，但也不可持續。
Steady State：穩定態或穩態。測試成績比之前的要低，但波動不大了，譬如連續五次測試的平均性能變化不超過20%。這是長跑的真正狀態，呼吸節奏均勻，對肌肉痠痛已經麻木，配速比較穩定。隨着時間持續，性能可能會進一步下降，但變化比較平緩。
由於SSD在標稱容量之外，還有一些保留的空間（OP），所以，爲了在測試時確保所有頁被寫入，設計的寫入量一定要明顯大於標稱容量，通常操作就是直接滿盤寫兩遍進行預處理，然後進行4K隨機寫入，以觀察寫入速度是否能夠收斂。
該項測試對於普通家用用戶來說其實不用太在意，畢竟我們平時使用時都會有SLC緩存加速的，不過對於極少數重度生產力用戶來說，可以通過該項測試來評估SSD的主控性能和固件調校水平。
在上面的測試環節中，我們已經對4款SSD進行了長時間順序寫入操作，正好完成了填盤預處理，所以抱着別浪費機會的想法，順帶着對這4款SSD也進行了Q1T1 4K隨機寫入60min的項目，記錄寫入曲線如下（爲方便理解與對照，這裏使用MB/s而不是IOPS作爲單位）。
如圖所示，致態TiPlus7100的寫入曲線幾乎沒有離散，很收斂，不過遺憾的是穩定之後的QD1 4K隨機寫入速度有點慢。
三星990 EVO Plus，總體來說看起來收斂了，不過有部分降速到幾乎爲0的波動極大的情況出現，另外整體的寫入速度同樣也不快。
西數SN770的散點圖就不太好看了，肉眼可見的穩不住，無論是中段還是後段，波動都很大，穩不下來。
金士頓NV3的曲線比西數SN770的離散程度還要離譜，前半段的波動極大，後半段速度降下來之後也穩不住，無法形成收斂。
簡單來說，散點圖中點位越集中、越收斂，意味着在極限工況下的QD1 4K隨機寫入性能越穩定，從側面也可以反映出SSD本身軟硬件結合下的調校實力。
單就穩定性而言，4款SSD中表現最好的還是致態TiPlus7100，其次爲三星990 EVO Plus、西數SN770和金士頓NV3。
溫度表現
再進行前面的測試項目時，爲了排除變量，確保選手們不會因爲過熱降速的緣故導致測試結果出現偏差，我使用了利民的SSD風冷散熱器來爲SSD進行散熱，效果也是極爲出色。
不過考慮到大部分朋友使用SSD時都不會這麼折騰，所以還是很有必要測試一下4位選手在未加裝散熱器時，只憑自身散熱的真實溫度表現。
測試環境爲使用開放式機架平臺上，通過延長線將SSD放置至機架外，排除主板上CPU風冷散熱器和顯卡風扇的主動氣流乾擾。
實際上對於SSD的顆粒和主控來說，只是順序讀取的話，其實負載並不算高的。
熟悉SSD的朋友們都知道，在使用CrystalDiskMark進行測試時，如果SSD發熱較大，或者我們沒做好散熱措施，就有可能會遇到SSD過熱降速導致結果不準的情況，這也從側面說明了，CrystalDiskMark的測試過程本身就是負載相當高的場景。
更妙的是CrystalDiskMark的測試項目可以通過固定流程來排除變量，所以這裏我們將散熱器拆下，記錄4款SSD在測試過程中的傳感器回傳溫度，並繪製成圖形和圖表，以方便對比它們在高負載下的發熱情況：
簡單摘錄曲線圖中的數據吧，在室溫均爲20.5℃的情況下，致態TiPlus7100和金士頓NV3相對涼快得多，二者傳感器記錄下來的最高溫度都沒有超過70℃，所以在日常使用時就算不加裝散熱片，基本也不用怕過熱降速的情況發生。
而三星和西數這邊的溫度就着實有點高了，最高點分別達到了103℃和100℃，對於這類發熱較大的SSD來說，金屬散熱片之類的散熱措施就成爲了必需品。
尤其對於想要在筆記本電腦或者迷你主機、客廳遊戲主機中加裝SSD的朋友來說，一定一定要注意SSD的發熱問題，散熱環境不理想的情況下就不要用這麼熱的盤了，用致態TiPlus7100這類涼爽的國產SSD，它不香嘛？
總結
以上就是本次橫向測評的全部測試了，相信大家看到這裏也累了，我們就做個簡要的總結吧。
1.經過對比大家就能看到，平時每次都爲大家推薦的致態TiPlus7100真的是確實強。
誠然致態TiPlus7100並沒有在所有項目中都取得第一名，但是無論在順序讀寫速還是隨機讀寫測試中，它的表現都上佳，就連發熱表現也很優秀，適合從臺式機到筆記本電腦再到迷你主機、遊戲主機等等各類場景中使用。
所以說在文章開頭咱並沒有尬吹哈，致態TiPlus7100確實是一塊非常棒的PCIe4.0滿速無緩旗艦SSD，不僅沒有落後於進口品牌，反而打的有來有回，稱之爲國產之光並不爲過。
2.三星990 EVO Plus這款新品的表現讓我喜憂參半。
三星作爲龍頭大哥，實力確實是強，990 EVO Plus也是一款優秀的無緩盤，不過在許多測試項目中都體現出固件和算法方面的頹勢，感覺這兩年三星在技術方面似乎有些懈怠了。
3.金士頓NV3這款新品，其實整體測下來沒啥大毛病，尤其在模擬實際應用場景的測試中，表現真的不錯。
不過考慮到它在SLC緩存耗盡後不到300MB/s的寫入性能着實拉胯，外加奇怪的官方標稱參數，以及特別像QLC的調校策略，總感覺不知道啥時候阿金就可能會偷摸把顆粒換成QLC呢，這就屬實不太推薦入手了。
4.至於西數SN770，感覺並沒有繼承SN750在PCIe3.0時代的西數黑盤光環。
半速的順序讀寫性能使得它其實撐不起西數在無緩SSD領域的架子，目前無緩盤已經逐漸成爲主流，對於西數來說，迫切需要推出一款類似三星990 EVO Plus這樣的滿速PCIe4.0無緩盤來填充產品線。
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