与之前的报道相反，i5-1440不会有14个核心，而是保留10个核心，即将于明年初发布
众所周知，非K型号是K系列的较低频率和较低功耗版本，通常会较早推出。即将更新的13代酷睿更新版系列被称为14代酷睿系列，10月左右推出，包含14900K、14700K、14600K型号，不过还计划在明年初推出更多不带K品牌的型号，功耗65W，降低超频潜力
目前确认i7-14700或配备20核心，就像14700K一样，i5-14400和i3-14100也会类似的升级，核心数比当前更多，未经证实的消息说明，i5-14400使用6个高性能核和4个高效核心，与前身的核心数量相比无差
在默频和三级缓存大小方面，14代系列没有任何重大变化，但14700(K)型号除外，该型号由于核心数量增加，三级缓存增至33MB，i5-14500的P核默频为2.6GHz，比当前的2.5GHz略有提高，睿频不清楚，但预计会比当前系列高出约200MHz
此外，英特尔670p 1TB硬盘目前的售价非常低，正常售价为46美元，但今天已打折至36美元(参考国内价格59元！)
2021年英特尔670p硬盘首次亮相，性能稳定，最大的缺点是1TB型号的零售价为154美元，但今天的折扣完全消除了这一担忧，它是目前能找到的最实惠的硬盘之一
英特尔670p采用慧荣科技SM2265主控和英特尔144层QLC闪存，1TB型号的读/写速度3500/2700Mbps
该硬盘支持256位AES加密，可以使用它来保护数据，享有英特尔提供的5年制造商保修，硬盘达到370TBW，该保修失效，此外还享受30天退货规范
材料工程前沿的新研究为计算设备带来真正令人震惊的性能改进，由usHellbrand等人领导的研究小组。剑桥大学相关人员认为，这种新材料基于由电压变化的钡尖峰隧道效应的氧化铪层，融合了内存和处理相关材料的特性，这些设备可以用于数据存储，提供的密度是存储介质的10到100倍，或者可以用作处理单元
这项研究发表在科学进展杂志上，为我们指明了一条道路，通过这条道路，计算设备会更高的密度、性能和能源效率，基于该技术(称为连续范围)的典型USB记忆棒可以容纳比目前使用的USB记忆棒多10到100倍内存的密度，正常情况下容量每四年翻一番，正如JEDEC指出的那样，内存制造商需要数十年的时间才能达到与该技术今天所显示的相同的密度水平
该设备还是神经形态计算隧道一盏灯与大脑神经元一样，这种材料(称为电阻开关存储器)作为存储和处理介质，这在当前的半导体技术中根本不会发生，存储单元所需的晶体管和材料设计安排与处理单元所需的晶体管和材料设计安排非常不同(主要是在耐用性方面，不遭受性能降价的能力)，目前还没有办法将它合并
这种无法合并它的情况意味着信息在处理系统及各种缓存(当考虑现代CPU时)以及外部内存池之间持续流动。在计算中，这被称为冯诺依曼瓶颈，独立内存和处理能力的系统从根本上受到它之间的带宽(通常称为总线)的限制，这就是为什么所有半导体设计(从英特尔到AMD、英伟达等)都设计专用硬件来加速这种信息交换，无限织物和NVLink
问题在于这种信息交换会产生能源成本，而这种能源成本目前限制了可实现性能的上限。当能量循环时，也会存在固有的损耗，导致功耗增加(当前硬件设计的硬性限制，也是半导体设计中日益重要的优先事项)以及热量的增加，这是硬性限制，导致越来越奇特的散热的开发，试图让其暂时失效。当然，还有可持续性因素在，不久的将来，计算消耗全球能源需求的30%
在很大程度上，能源需求的爆炸式增长是由于当前计算机存储技术的缺陷造成的，剑桥大学材料科学与冶金系的第一作者马库斯·海伦布兰德说在传统计算中，一侧有内存，另一侧有处理器，数据在两者之间重新洗牌，这既需要能量又需要时间
合并内存和处理器的好处是相当好的，虽然传统存储器只能有两种状态(1或0，二进制命名法的原因)，但电阻开关存储器件可以通过一系列状态改变电阻得它能够在更多的电压下运行，从而可以编码更多在足够高的水平上，与NAND领域中发生的过程大致相同，每个单元位数的增加对应于存储单元设计中解锁的更多电压状态
区分处理器和存储的一种方法是，处理信息正在按照切换周期请求的速度进行写入和重写(添加或减去、转换或重组)存储信息需要在较长时间内保持静态，因为它是Windows或Linux核心的一部分
为了构建这些突触设备，正如论文所提到的，研究团队找到一种方法来解决材料工程瓶颈，即均匀性问题。由于氧化铪(HfO2)不包含任何原子级结构，因此决定或破坏绝缘性能的铪和氧原子会随机沉积，这限制了它在传导电子(电力)方面的应用；原子结构越有序，造成的阻力就越小，速度和效率就越高，但研究小组发现，在非结构化氧化铪薄膜中沉积钡(Ba)会高度有序的钡桥(或尖峰)，而且由于它的原子结构更加结构化，这些桥可以更好地允许电子流动
但当研究团队发现可以动态改变钡尖峰的高度，从而可以对电导率进行细粒度控制时，有趣就开始了，尖峰可以以约20纳秒的速率提供开关能力，可以在该窗口内改变电压状态(从而保存不同)，开关耐久性>10^4个周期，内存窗口>10，虽然该材料速度很快，但它目前可以承受的最大电压状态变化次数为10000次循环，这不是一个可怕的结果，但也不是一个令人惊奇的结果
它相当于MLC(多级单元)技术的耐用性，这自然会限制应用，使用这种材料作为处理介质(中电压状态快速变化，以保存计算及中间结果的存储)
粗略地计算一下，大约20ns的切换导致工作频率为50MHz(转换为每纳秒的周期数)，当系统全速处理不同状态时(作为显卡或CPU工作)，钡桥在0.002秒左右停止运行(达到耐用极限)(它仅以50MHz运行)，对于处理单元来说它的性能不够
但为了存储最密集的NAND技术和更多间接电压状态(10或100倍)，这就是存储容量密度高10到100倍的USB记忆棒的用武之地，这些突触设备可以访问比最宽敞的USB记忆棒中
谁不想手上有一个10TB甚至100TB的USB7硬盘呢呢
在钡电桥的耐用性和开关速度方面还有一些工作要做，该设计已经是一个诱人的概念，证明更好的是，半导体已经使用氧化铪，因此需要克服的工具和物流噩梦更少
但这里有一个特别巧妙的产品可能性，想象一下，该技术已经改进到可以制造可用于设计AMD或英伟达显卡(目前运行频率为2GHz)，在某个世界中，显卡重置出厂状态，完全作为内存运行(现在想象一下10TB显存的显卡，与USB记忆棒相同)
想象一下这样一个世界，AMD和英伟达提供的本质上是可编程显卡，基于连续范围的显卡芯片在最大存储能力进行了堆叠(记住比当前USB密度高10到100)，一位人工智能爱好者试图运行大型语言模型(LLM)，可以对显卡进行编程，以便适量的合成设备(这些神经形态晶体管)运行处理功能，随着复杂性的增加，无法确定模型会利用多少万亿个参数，因此内存变得越来越重要
能够决定图形卡晶体管是完全用作内存还是完全用作养眼放大器以图形设置提高到11个，这完全取决于用户；从休闲玩家到高性能计算(HPC)人员即使芯片的寿命会明显缩短
总是在升级它，不是吗
但不要操之过急，这不像人工智能的开发及监管那么危险，但目前为止的梦想没有什么收获与所有技术一样，当它准备就绪时，它就会到来有的话
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